"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Оптические и пьезоспектроскопические свойства и строение комплексов вакансия галлия--кремний в n-GaAs: сравнение с комплексами вакансия галлия--олово
Аверкиев Н.С.1, Гуткин А.А.1, Рещиков М.А.1, Седов В.Е.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 23 ноября 1995 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1996 г.

Исследована фотолюминесценция комплексов V Ga SiGa в n-GaAs при низких температурах. Измерены спектры возбуждения, поляризация люминесценции при возбуждении поляризованным светом из примесной полосы поглощения и влияние одноосного давления на люминесценцию, возбуждаемую светом из собственной полосы поглощения GaAs. Обнаружены двухступенчатое выстраивание дисторсий комплексов при давлении вдоль оси [111] или [110] и связанные с ними изменения в скорости сдвига полосы люминесценции с давлением. Строение и свойства комплексов этого типа качественно объясняются в модели, предполагающей, что в излучающем состоянии влияние донора на вакансионные орбитали мало по сравнению с взаимодействием локализованной на этих орбиталях дырки с неполносимметричными F2-колебаниями квазимолекулы V Ga4As. Анализ данных показывает, что различие в пьезоспектроскопических свойствах V Ga SiGa и V Ga SnGa обусловлено некоторым увеличением расщепления донором вакансионных t2-состояний в V Ga SiGa по сравнению с V Ga SnGa. Различия в пьезоспектроскопическом поведении этих комплексов, с одной стороны, и комплекса V Ga TeAs - с другой, определяются в основном разницей в положении доноров, а не их химической природой непосредственно.
  1. G.D. Watkins. In: \it Radiation Damage in Semiconductors, ed. by P. Baruch (Dunod, Paris, 1965) p. 97
  2. S. Shionoya. In: \it Luminescence of Inorganic Solids, ed. by P. Goldberg (Academic Press Inc., N.Y., 1966) p. 225
  3. E.W. Williams. Phys. Rev., 168, 922 (1968)
  4. H.J. Guislain, L. De Wolf, P. Clauws. J. Electron. Mater., 7, 83 (1978)
  5. В.И. Вовненко, К.Д. Глинчук, А.В. Прохорович. ФТП, 10, 1097 (1976)
  6. Z.G. Wong, C.J. Li, S.K. Wan, L.Y. Lin. J. Cryst. Growth, 103, 38 (1990)
  7. W. Stadler, B.K. Meyer, D.M. Hoffman, B. Kowalski, P. Emanuelsson, P. Omling, E. Weigel, G. Muller-Vogt, R.T. Cox. In: \it Defects in Semiconductors 17, ed. by H. Heinrich, W. Jantsh [Mater. Sci. Forum. (Trans. Tech. Publications, Switzerland, 1994) 143--147, pt. 1, p. 399]
  8. Н.С. Аверкиев, А.А. Гуткин, Е.Б. Осипов, М.А. Рещиков, В.Р. Сосновский. ФТП, 26, 1269 (1992)
  9. А.А. Гуткин, М.А. Рещиков, В.Р. Сосновский. ФТП, 27, 1516 (1993)
  10. А.А. Гуткин, М.А. Рещиков, В.Р. Сосновский. ФТП, 27, 1526 (1993)
  11. A.A. Gutkin, M.A. Reshchikov, V.R. Sosnovskii. In: \it Defects in Semiconductors 17, ed. by H. Heinrich, W. Jantsh [Mater. Sci. Forum. (Trans. Tech. Publications, Switzerland, 1994) 143--147, pt. 3, p. 1275]
  12. Н.С. Аверкиев, А.А. Гуткин, Е.Б. Осипов, М.А. Рещиков, В.Е. Седов, В.Р. Сосновский. ФТП, 25, 50 (1991)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.