"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Межзонное примесное поглощение света в тонких полупроводниковых проволоках типа A IIIB V
Джотян А.П.1, Казарян Э.М.1, Чиркинян А.С.1
1Ереванский государственный университет, Ереван, Армения
Поступила в редакцию: 30 июня 1995 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1996 г.

Исследовано межзонное примесное поглощение света в тонких проволоках полупроводника типа AIIIBV с кейновским законом дисперсии для носителей заряда. Показано, что в отличие от проволок со стандартным законом дисперсии здесь реализуется переход на основное состояние примеси. Учет непараболичности закона дисперсии приводит также к существенному отдалению линии поглощения, обуловленной переходом на основное примесное состояние от остальных линий.
  1. \it Оптические свойства полупроводников A^IIIB^V, под ред. Р.Уиллардсона, А.Бира (М., 1970)
  2. А.М. Казарян, Э.М. Казарян. ФТП, 11, 1383 (1977)
  3. А.П. Джотян, Э.М. Казарян, Ю.В. Каракашян. Изв. НАН Армении. Физика, 28, 150 (1993)
  4. С.Л. Арутюнян, Э.М. Казарян. Изв. АН АрмССР. Физика, 12, 16 (1977)
  5. R. Loudon. Amer. J. Phys., 27, 649 (1959)
  6. H.N. Spector, J. Lee. Amer. J. Phys., 53, 248 (1985)
  7. E.O. Kane. J. Phys. Chem. Sol., 1, 249 (1957)
  8. А.И. Ансельм. \it Введение в теорию полупроводников (М., 1978)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.