Вышедшие номера
Межзонное примесное поглощение света в тонких полупроводниковых проволоках типа A IIIB V
Джотян А.П.1, Казарян Э.М.1, Чиркинян А.С.1
1Ереванский государственный университет, Ереван, Армения
Поступила в редакцию: 30 июня 1995 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1996 г.

Исследовано межзонное примесное поглощение света в тонких проволоках полупроводника типа AIIIBV с кейновским законом дисперсии для носителей заряда. Показано, что в отличие от проволок со стандартным законом дисперсии здесь реализуется переход на основное состояние примеси. Учет непараболичности закона дисперсии приводит также к существенному отдалению линии поглощения, обуловленной переходом на основное примесное состояние от остальных линий.