"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Индуцированные внутрицентровые излучательные переходы в сильно деформированном p-Ge
Алтухов И.В.1, Каган М.С.1, Королев К.А.1, Синис В.П.1, Чиркова Е.Г.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 26 сентября 1995 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1996 г.

Приведены результаты спектральных исследований индуцированного дальнего инфракрасного излучения из одноосно деформированного p-Ge. Показано, что это излучение вызвано индуцированными излучательными переходами дырок между расщепленными давлением основными состояниями мелких акцепторов.
  1. И.В. Алтухов, М.С. Каган, К.А. Королев, В.П. Синис. ЖЭТФ, 101, 756 (1992); ЖЭТФ, 103, 1829 (1993)
  2. И.В. Алтухов, М.С. Каган, К.А. Королев, В.П. Синис. Письма ЖЭТФ, 59, 455 (1994)
  3. Г.Л. Бир, Г.Е. Пикус. \it Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках (М., Наука, 1972)
  4. A.K. Ramdas, S. Rodrigues. Rep. Prog. Phys., 44, 1297 (1981)
  5. А.А. Андронов, И.В. Зверев, В.А. Козлов, Ю.Н. Ноздрин, С.А. Павлов, В.Н. Шастин. Письма ЖЭТФ, 40, 804 (1984)
  6. А.В. Муравьев, С.Г. Павлов, В.Н. Шастин. Письма ЖЭТФ, 52, 959 (1990)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.