"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Легирование ZnSe с помощью высокоэффективного источника активного азота в процессе молекулярно-пучковой эпитаксии
Жмерик В.Н.1, Иванов С.В.1, Максимов М.В.1, Кузнецов В.М.1, Леденцов Н.Н.1, Сорокин С.В.1, Домрачев С.Н.1, Шмидт Н.М.1, Крестников И.Л.1, Копьев П.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 26 сентября 1995 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1996 г.

Сообщается об использовании оригинального источника активного азота с разрядом на постоянном токе для p-легирования ZnSe при молекулярно-пучковой эпитаксии. Впервые с помощью источника данного типа достигнут уровень легирования |NA-ND|=8·1017 см-3 при эффективности легирования 80%. Используемые при этом сверхнизкие уровни постоянной мощности (0.5 Вт) и расхода газа (10-3 л· Тор/с) свидетельствуют о чрезвычайно высокой эффективности источника. Определены оптимальные условия роста и легирования при молекулярно-пучковой эпитаксии. Продемонстрирована высокая эффективность спектроскопии низкотемпературной фотолюминесценции для исследования природы и условий образования примесных условий.
  1. R.M. Park, M.B. Troffer, C.M. Rouleau, J.M. DePuydt, M.A. Haase. Appl. Phys. Lett., 57, 2127 (1990)
  2. K. Ohkawa, T. Karasawa, T. Mitsuyu. Jpn. J. Appl. Phys., 30, L152 (1991)
  3. T. Matsumoto, T. Inaba, Y.Yoda, K. Egashira, T. Kato, T. Akitsu. J. Cryst. Growth, 138, 403 (1994)
  4. J. Qiu, J.M. DePuydt, H. Cheng, M.A.Haase. Appl. Phys. Lett., 59, 2992 (1991)
  5. T. Ohtsuka, K. Horie. Jpn. J. Appl. Phys., 32, L233 (1993)
  6. S.O. Ferreira, H. Sitter, W. Faschinger, G. Brunthaler. J. Cryst. Growth, 140, 282 (1994)
  7. W. Faschinger, S. Ferreira, H. Sitter. Appl. Phys. Lett., 64, 2682 (1994)
  8. T. Nakao, T. Uenoyama. Jpn. J. Appl. Phys., 32, 660 (1993)
  9. R.P. Vaudo, J.W. Cook, Jr., J.F. Schetzina. J. Cryst. Growth, 138, 430 (1994)
  10. R.P. Vaudo, J.W. Cook, Jr., J.F.Schetzina. J.Vac. Sci. Technol. B, 12, 1232 (1994)
  11. I.S. Hauksson, J. Simpson, S.Y. Wang, B.C.Cavenett. Appl. Phys. Lett., 61, 2208 (1992)
  12. D.B. Laks, C.G. Van de Walle, G.F. Neumark, P.E. Blochl, S.T. Pantelides. Phys. Rev. B, 45, 10965 (1992)
  13. G.G. Van de Walle, D.B. Laks, G.F. Neumark, S.T. Pantelides. Phys. Rev. B, 47, 9425 (1993)
  14. Z. Zhu, K. Takebayashi, K. Tanaka, T. Ebisutani, J. Kawamata, T. Yao. Appl. Phys. Lett., 64, 91 (1994)
  15. Н.А. Кервалишивли, А.В. Жаринов. ЖТФ, 25, 2194 (1965)
  16. С.Д. Гришин, Л.В. Лесков, Н.П. Козлов. \it Плазменные ускорители (М., Машиностроение, 1983)
  17. P.S. Kop'ev, S.V. Ivanov, A.Yu. Egorov, D.Yu. Uglov. J. Cryst. Growth, 96, 533 (1989)
  18. S.V. Ivanov, S.V. Sorokin, H.S. Park, T.I. Kim, P.S. Kop'ev. Workbook EUROMBE-VIII Workshop (Sierra-Nevada, Spain, March 21-24, 1995) p. 192
  19. V.M. Kuznetsov, V.N. Jmerik, S.N. Domrachev. Abstracts \it Int. SYmp. Nanostructures: Physics and Technology (St. Petersburg, Russia, June 13--18, 1993) p. 114
  20. L.K. Li, W.I. Wang, J.M. Gaines, J. Petruzzelo. T. Marshall. J. Vac. Sci. Technol. B, 12, 1197 (1994)
  21. А.Р. Строганов, Н.С. Свентицкий. \it Таблицы спектральных линий нейтральных и ионизованных атомов (М., Атомиздат, 1966)
  22. Z. Zhu, T. Ebisuani, K. Takebayashi, K. Tanaka, T. Yao. Appl. Phys. Lett., 64, 1833 (1994)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.