"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Рекомбинация и перенос заряда в поликристаллических полупроводниках при воздействии оптического излучения
Дощанов К.М.1
1Физико-технический институт НПО ”Физика−Солнце“ Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
Поступила в редакцию: 16 января 1995 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 1996 г.

Предложена новая теория рекомбинации и переноса заряда в поликристаллических полупроводниках при воздействии на них оптического излучения. Получены соотношения, определяющие высоту межкристаллитных потенциальных барьеров (Vs), плотность рекомбинационного тока на границах зерен (jR), эффективное время жизни неосновных носителей (taup) и проводимость (sigma) в зависимости от уровня фотовозбуждения поликристалла (G). Соотношения справедливы при любых значениях Lb/d (Lb --- длина диффузии неосновных носителей в объеме зерен поликристалла, d --- размер зерен). Представлены графики зависимостей Vs, jR, taup, sigma от G и d в поликристаллическом кремнии.
  1. D.P. Joshi, D.P. Bhatt. IEEE Trans. Electron. Dev., 37, 237 (1990)
  2. D.P. Bhatt, D.P. Joshi. J. Appl. Phys., 68, 2338 (1990)
  3. H.C. Card. J. Appl. Phys., 52, 3671 (1981)
  4. B.P. Tyagi, K. Sen. Phys. St. Sol. (a). 90, 709 (1985)
  5. C.Y. Lu, N.C.C. Lu. Sol. St. Electron., 26, 549 (1983)
  6. M.M. Mandurah, K.C. Saraswat, C. Helms, T. Kamins. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-28, 1163 (1981)
  7. К.М. Дощанов. ФТП, 28, 692 (1994)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.