Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Фотоприемники с управляемым спектром фоточувствительности

Мирсагатов Ш.А.¹, Айтбаев Б.У.¹, Рубинов В.М.¹

¹Физико-технический институт НПО ”Физика−Солнце“ Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан Physicotechnical Institute, Research-and-Production Association “Physics–Sun”, Uzbekistan Academy of Sciences, Tashkent, Uzbekistan

Physicotechnical Institute, Research-and-Production Association “Physics–Sun”, Uzbekistan Academy of Sciences, Tashkent, Uzbekistan

Поступила в редакцию: 10 ноября 1994 г.

Выставление онлайн: 18 февраля 1996 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Рассматриваются особенности спектрального распределения фоточувствительности фотоприемников ультрафиолетовой части спектра, изготовленных на основе твердого раствора Zn_xCd_1-xS. Установлено, что в фотодиодном режиме в спектре V_f(lambda) наблюдается две точки инверсии знака фотоэдс. Показано, что положение более коротковолновой точки инверсии V_f1 линейно зависит от приложенного напряжения смещения. Особенности спектрального распределения фотоэдс в таких фотоприемниках объясняются инжекцией неосновных неравновесных носителей-электронов - в слой объемного заряда из межзеренных прослоек и наличием в фотоприемнике двух переходов, включенных в противоположных направлениях.

Ш.А. Мирсагатов, П.И. Книгин, Х. Розиков. ФТП, 23, 374 (1989)
Ш.А. Мирсагатов, Х. Розиков. Гелиотехника, N 2, 23 (1993)
В.И. Стафеев. ЖЭТФ, 27, 2095 (1957)
Ш.А. Мирсагатов, А.И. Султанов. Электрон. техн., сер. Лазерная техника и оптоэлетроника, 55, 98 (1990)
М. Ламперт, П. Марк. \it Инжекционные токи в твердых телах (М., 1973)
К. Чопра, С. Дас. \it Тонкопленочные солнечные элементы (М., 1986)
А. Милнс, Д. Фойхт. \it Гетеропереходы и переходы металл--полупроводник (М., 1975)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель