"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Фотоприемники с управляемым спектром фоточувствительности
Мирсагатов Ш.А.1, Айтбаев Б.У.1, Рубинов В.М.1
1Физико-технический институт НПО ”Физика−Солнце“ Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
Поступила в редакцию: 10 ноября 1994 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 1996 г.

Рассматриваются особенности спектрального распределения фоточувствительности фотоприемников ультрафиолетовой части спектра, изготовленных на основе твердого раствора ZnxCd1-xS. Установлено, что в фотодиодном режиме в спектре Vf(lambda) наблюдается две точки инверсии знака фотоэдс. Показано, что положение более коротковолновой точки инверсии Vf1 линейно зависит от приложенного напряжения смещения. Особенности спектрального распределения фотоэдс в таких фотоприемниках объясняются инжекцией неосновных неравновесных носителей--электронов --- в слой объемного заряда из межзеренных прослоек и наличием в фотоприемнике двух переходов, включенных в противоположных направлениях.
  1. Ш.А. Мирсагатов, П.И. Книгин, Х. Розиков. ФТП, 23, 374 (1989)
  2. Ш.А. Мирсагатов, Х. Розиков. Гелиотехника, N 2, 23 (1993)
  3. В.И. Стафеев. ЖЭТФ, 27, 2095 (1957)
  4. Ш.А. Мирсагатов, А.И. Султанов. Электрон. техн., сер. Лазерная техника и оптоэлетроника, 55, 98 (1990)
  5. М. Ламперт, П. Марк. \it Инжекционные токи в твердых телах (М., 1973)
  6. К. Чопра, С. Дас. \it Тонкопленочные солнечные элементы (М., 1986)
  7. А. Милнс, Д. Фойхт. \it Гетеропереходы и переходы металл--полупроводник (М., 1975)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.