"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние поверхностной рекомбинации на вольт-амперную характеристику p-n-перехода в сильном СВЧ поле
Гулямов Г.1
1Наманганский индустриально-технологический институт, Наманган, Узбекистан
Поступила в редакцию: 7 октября 1994 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 1996 г.

Изучено влияние поверхностной рекомбинации на токи и эдс, генерируемые в p-n-переходе в сильном СВЧ поле. Показано, что в сильном СВЧ поле скорость поверхностной рекомбинации сильно возрастает и результатом является увеличение рекомбинационного и генерационного токов. Установлено, что учет поверхностной рекомбинации приводит в тонких образцах к зависимости токов через p-n-переход в сильном СВЧ поле от толщины образца.
  1. Н.А. Аблязимова, А.И. Вейнгер, В.С. Питанов. ФТП, 22, 2001 (1988)
  2. Н.А. Аблязимова, А.И. Вейнгер, В.С. Питанов. ФТП, 26, 1041 (1992)
  3. Г.Е. Пикус. \it Основы теории полупроводниковых приборов (М., 1965)
  4. В.Л. Бонч-Бруевич, Г.С. Калашников. \it Физика полупроводников (М., 1977)
  5. А.И. Вейнгер, Л.Г. Парицкий, Э.А. Акопян, Г. Дадамирзаев. ФТП, 9, 216 (1975)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.