Вышедшие номера
Мелкие акцепторные центры, образующиеся при диффузии эрбия в кремний
Александров-=SUP=-*-=/SUP=- О.В.1, Емцев В.В.1, Полоскин Д.С.1, Соболев Н.А.1, Шек Е.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 27 июня 1994 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1994 г.

Показано, что диффузия Er в Si при высоких температурах (1100-1250 oC) приводит к образованию мелких акцепторных центров с энергией Ev+45 мэВ. Концентрация этих центров зависит от условий термообработки и, в частности, от типа и концентрации избыточных собственных точечных дефектов, участвующих в процессах диффузии. Пересыщение вакансиями Si сопровождается значительным увеличением концентрации акцепторных центров. Пересыщение собственными межузельными атомами Si уменьшает их концентрацию. Полученные результаты позволяют предположить, что эти центры сформированы примесными атомами эрбия в положении замещения.