Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Мелкие акцепторные центры, образующиеся при диффузии эрбия в кремний

Александров-=SUP=-*-=/SUP=- О.В.¹, Емцев В.В.¹, Полоскин Д.С.¹, Соболев Н.А.¹, Шек Е.И.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 27 июня 1994 г.

Выставление онлайн: 20 октября 1994 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Показано, что диффузия Er в Si при высоких температурах (1100-1250 ^oC) приводит к образованию мелких акцепторных центров с энергией E_v+45 мэВ. Концентрация этих центров зависит от условий термообработки и, в частности, от типа и концентрации избыточных собственных точечных дефектов, участвующих в процессах диффузии. Пересыщение вакансиями Si сопровождается значительным увеличением концентрации акцепторных центров. Пересыщение собственными межузельными атомами Si уменьшает их концентрацию. Полученные результаты позволяют предположить, что эти центры сформированы примесными атомами эрбия в положении замещения.

F.Y.G. Ren, J. Michel, Q. Sun--Padnano, B. Zheng, H. Kitagawa, D.S. Jacobson, J.M. Poate, L.C. Kimerling. MRS Symp. Proc., \bf 301, 87 (1993)
J.L. Benton, J. Michel, L.C. Kimerling, D.S. Jacobson, Y.-H. Xie, D.S. Eaglesham, E.A. Fitzgerald, J.M. Roate. J. Appl. Phys., \bf 70, 2667 (1991)
В.В. Агеев, Н.С. Аксенова, В.Н. Коковкина, Е.П. Трошина. Изв. ЛЭТИ (Л., 1977) вып. 211, с. 80
Д.Э. Насыров, Г.С. Куликов, Р.Ш. Малкович. ФТП, \bf 25, 1653 (1991)
N.A. Sobolev, O.V. Alexandrov, B.N. Gresserov, G.M. Gusinskii, V.O. Naidenov, E.I. Sheck, V.I. Stepanov, Yu.V. Vyzhigin, L.F. Chepik, E.P. Troshina. Sol. St. Phenomena, \bf 32-- \bf 33, 83 (1993)
G. Masetti, M. Severi, S.Solmi. IEEE Trans. Electron. Dev., \bf ED-30, 764 (1983)
N.A. Sobolev, Yu.V. Vyzhigin, B.N. Gresserov, E.I. Sheck, A.I. Kurbakov, E.E. Rubinova, V.A. Trunov. Sol. St. Phenomena, \bf 19--\bf 20, 169 (1991)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель