"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Мелкие акцепторные центры, образующиеся при диффузии эрбия в кремний
Александров-=SUP=-*-=/SUP=- О.В.1, Емцев В.В.1, Полоскин Д.С.1, Соболев Н.А.1, Шек Е.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 27 июня 1994 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1994 г.

Показано, что диффузия Er в Si при высоких температурах (1100--1250 oC) приводит к образованию мелких акцепторных центров с энергией Ev+45 мэВ. Концентрация этих центров зависит от условий термообработки и, в частности, от типа и концентрации избыточных собственных точечных дефектов, участвующих в процессах диффузии. Пересыщение вакансиями Si сопровождается значительным увеличением концентрации акцепторных центров. Пересыщение собственными межузельными атомами Si уменьшает их концентрацию. Полученные результаты позволяют предположить, что эти центры сформированы примесными атомами эрбия в положении замещения.
  • F.Y.G. Ren, J. Michel, Q. Sun--Padnano, B. Zheng, H. Kitagawa, D.S. Jacobson, J.M. Poate, L.C. Kimerling. MRS Symp. Proc., \bf 301, 87 (1993)
  • J.L. Benton, J. Michel, L.C. Kimerling, D.S. Jacobson, Y.-H. Xie, D.S. Eaglesham, E.A. Fitzgerald, J.M. Roate. J. Appl. Phys., \bf 70, 2667 (1991)
  • В.В. Агеев, Н.С. Аксенова, В.Н. Коковкина, Е.П. Трошина. Изв. ЛЭТИ (Л., 1977) вып. 211, с. 80
  • Д.Э. Насыров, Г.С. Куликов, Р.Ш. Малкович. ФТП, \bf 25, 1653 (1991)
  • N.A. Sobolev, O.V. Alexandrov, B.N. Gresserov, G.M. Gusinskii, V.O. Naidenov, E.I. Sheck, V.I. Stepanov, Yu.V. Vyzhigin, L.F. Chepik, E.P. Troshina. Sol. St. Phenomena, \bf 32-- \bf 33, 83 (1993)
  • G. Masetti, M. Severi, S.Solmi. IEEE Trans. Electron. Dev., \bf ED-30, 764 (1983)
  • N.A. Sobolev, Yu.V. Vyzhigin, B.N. Gresserov, E.I. Sheck, A.I. Kurbakov, E.E. Rubinova, V.A. Trunov. Sol. St. Phenomena, \bf 19--\bf 20, 169 (1991)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.