"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Быстрый термический отжиг полуизолирующего GaAs, облученного реакторными нейтронами
Зайцева Т.Н.1, Колин Н.Г.1, Кухто О.Л.1, Нарочный К.Н.1, Нойфех А.И.1
1Научно-исследовательский физико-химический институт им.Л.Я.Карпова,, Обнинск, Россия
Поступила в редакцию: 9 февраля 1994 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1994 г.

Найдены оптимальные режимы быстрого термического отжига объемного полуизолирующего GaAs, облученного полным спектром реакторных нейтронов. Показано, что быстрый термический отжиг более эффективен, чем длительный отжиг (подвижность электронов увеличивается в 1.3-1.5 раза), режимы оптимального отжига зависят от параметров исходного материала и дозы облучения.
  1. A. Katz, B.E. Weir, S.N.G. Chu, P.M. Thomas, M. Soler, T. Boone, W.C. Dautremont-Smith. J. Appl. Phys., \bf67, 3872 (1990)
  2. A. Tamyra, T. Uenoyama, K. Nishii, K. Inoue, T. Onuma. J. Appl. Phys., \bf62, 1102 (1987)
  3. M. Kohno, H. Hida, Y. Ogawa, M. Fujii, T. Maeda, K. Ohata. J. Appl. Phys., \bf69, 1294 (1991)
  4. C.A. Dimitriadis, E.K. Polychroniadis. J. Appl. Phys., \bf70, 3109 (1991)
  5. H.A. Lord. IEEE Trans. Semicond. Manufact., \bf SM-1, 105 (1988)
  6. H.Y.Cho, E.K. Kim, S.-K. Min. J. Appl. Phys., \bf66, 3038 (1989)
  7. J. Wagner, M. Ramsteiner, W. Haydl. J. Appl. Phys., \bf 61, 3050 (1987)
  8. Ф.П. Коршунов, Н.А. Соболев, Н.Г. Колин, Е.А. Кудрявцева, Т.А. Прохоренко. ФТП, \bf22, 1850 (1988)
  9. Н.Г. Колин, Л.В. Куликова, В.Б. Освенский, С.П. Соловьев, В.А. Харченко. ФТП, \bf18, 2187 (1984)
  10. M. Katayama, A. Usami, T. Wada, Y. Tokuda. J. Appl. Phys., \bf62, 528 (1987)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.