Быстрый термический отжиг полуизолирующего GaAs, облученного реакторными нейтронами
Зайцева Т.Н.1, Колин Н.Г.1, Кухто О.Л.1, Нарочный К.Н.1, Нойфех А.И.1
1Научно-исследовательский физико-химический институт им.Л.Я.Карпова,, Обнинск, Россия
Поступила в редакцию: 9 февраля 1994 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1994 г.
Найдены оптимальные режимы быстрого термического отжига объемного полуизолирующего GaAs, облученного полным спектром реакторных нейтронов. Показано, что быстрый термический отжиг более эффективен, чем длительный отжиг (подвижность электронов увеличивается в 1.3-1.5 раза), режимы оптимального отжига зависят от параметров исходного материала и дозы облучения.
- A. Katz, B.E. Weir, S.N.G. Chu, P.M. Thomas, M. Soler, T. Boone, W.C. Dautremont-Smith. J. Appl. Phys., \bf67, 3872 (1990)
- A. Tamyra, T. Uenoyama, K. Nishii, K. Inoue, T. Onuma. J. Appl. Phys., \bf62, 1102 (1987)
- M. Kohno, H. Hida, Y. Ogawa, M. Fujii, T. Maeda, K. Ohata. J. Appl. Phys., \bf69, 1294 (1991)
- C.A. Dimitriadis, E.K. Polychroniadis. J. Appl. Phys., \bf70, 3109 (1991)
- H.A. Lord. IEEE Trans. Semicond. Manufact., \bf SM-1, 105 (1988)
- H.Y.Cho, E.K. Kim, S.-K. Min. J. Appl. Phys., \bf66, 3038 (1989)
- J. Wagner, M. Ramsteiner, W. Haydl. J. Appl. Phys., \bf 61, 3050 (1987)
- Ф.П. Коршунов, Н.А. Соболев, Н.Г. Колин, Е.А. Кудрявцева, Т.А. Прохоренко. ФТП, \bf22, 1850 (1988)
- Н.Г. Колин, Л.В. Куликова, В.Б. Освенский, С.П. Соловьев, В.А. Харченко. ФТП, \bf18, 2187 (1984)
- M. Katayama, A. Usami, T. Wada, Y. Tokuda. J. Appl. Phys., \bf62, 528 (1987)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук