"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Последовательная эмиссия оптических фононов баллистическими электронами в гетероструктурах с одиночным барьером
Дубровский Ю.В.1, Ларкин И.А.1, Морозов С.В.1, Ханин Ю.Н.1, Андерссон Т.Г.1
1Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
Поступила в редакцию: 12 мая 1994 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1994 г.

Экспериментально обнаружены фононные реплики, связанные с испусканием LO-фононов баллистическими электронами на длине порядка 60 нм. Измерения проводились на симметричных гетероструктурах GaAs/AlAs/GaAs с единичным туннельным барьером и слабо легированным GaAs-спейсером. Инжектированные через туннельный гетеробарьер электроны преодолевают область слаболегированного спейсера баллистически. Магнитное поле, приложенное перпендикулярно направлению тока, подавляет фононные реплики. Предложена простая модель для объяснения экспериментальных результатов.
  • T.W. Hickmott, P.M. Solomon, F.F. Fang, F. Stern, R. Fischer, H. Morkoc. Phys. Rev. Lett., \bf 52, 2053 (1984)
  • P.S.S. Guimaraes, D.C. Tailor, B.R. Snell, L. Eaves, K.E. Singer, G. Hill, M.A. Pate, G.A. Toomb, F.W. Sheard. J. Phys. C., \bf 18, L605 (1985)
  • L. Eaves, P.S.S. Guimaraes, F.W. Shead, B.R. Snell, D.C. Taylor, G.A.Toombs, K.E. Singer. J. Phys. C., \bf 18, L885 (1985)
  • J.P. Leburton. Phys. Rev. B, 31, 4080 (1985)
  • E.S. Hellman, J.S. Harris. Phys. Rev. B., \bf 33, 8284 (1986)
  • A. Grinberg, S. Luryi. Phys. Rev. B., \bf 42, 1705 (1990)
  • P. Thomas, H.J. Queisser. Phys. Rev., 175, 983 (1968)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.