Вышедшие номера
Последовательная эмиссия оптических фононов баллистическими электронами в гетероструктурах с одиночным барьером
Дубровский Ю.В.1, Ларкин И.А.1, Морозов С.В.1, Ханин Ю.Н.1, Андерссон Т.Г.1
1Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
Поступила в редакцию: 12 мая 1994 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1994 г.

Экспериментально обнаружены фононные реплики, связанные с испусканием LO-фононов баллистическими электронами на длине порядка 60 нм. Измерения проводились на симметричных гетероструктурах GaAs/AlAs/GaAs с единичным туннельным барьером и слабо легированным GaAs-спейсером. Инжектированные через туннельный гетеробарьер электроны преодолевают область слаболегированного спейсера баллистически. Магнитное поле, приложенное перпендикулярно направлению тока, подавляет фононные реплики. Предложена простая модель для объяснения экспериментальных результатов.