Спектры поверхностной фотоэдс n-GaAs (100)
Мусатов А.Л.1, Мокеров В.Г.1, Пахомов А.А.1, Санкович В.Ю.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 13 апреля 1994 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1994 г.
Приведены спектры поверхностной фотоэдс n-GaAs (100), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии. В спектрах в области энергий фотонов h omega<varepsilong видны четко выраженные ступеньки, расположенные через равные интервалы энергии Delta varepsilon~ 0.1 эВ. Теоретический анализ показывает, что наблюдаемые ступеньки можно объяснить сильным электрон-фононным взаимодействием в процессе фотоионизации глубокого уровня, причем энергия локального поверхностного фонона равна h Omega=0.11 эВ.
- G. Le Lay, D. Mao, A. Kahn, Y. Hwu, G. Margaritondo. Phys. Rev. B, \bf 43, 14301 (1991)
- I.M. Vitomirov, A.D. Raisanen, A.C. Finnefrock, R.E. Vitturo, L.J. Brillson, P.D. Kirchner, G.D. Pettit, J. Woodall. Phys. Rev. B, \bf 46, 13293 (1992)
- I.M. Vitomirov, A.D. Raisanen, A.C. Finnefrock. J. Vac. Sci. Techn. B, \bf 10, 1898 (1992)
- H.G. Gatos, J. Lagowski. J. Vac. Sci. Techn., \bf 10, 130 (1992)
- A.L. Musatov, S. Yu. Smirnov. Surf. Sci., \bf 269/270, 130 (1992)
- А.А. Пахомов, А.Ф. Полупанов, В.И. Галиев, Э.З. Иманов. ФТТ, \bf 33, 730 (1991)
- G. Lucovsky. Sol. St. Commun., 3, 299 (1965)
- Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. \it Квантовая механика. Нерелятивистская теория (М., Наука, 1989)
- Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. \it Электродинамика сплошных сред. (М., Наука, 1989)
- H.D. Pashlay, K.W. Haberern, J. Woodal. J. Vac. Sci. Techn. B, \bf 6(4), 1468 (1988)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
