"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние электрического поля на коэффициент резонансного прохождения в двухбарьерных квантовых структурах
Врубель М.М.1, Борздов В.М.1
1Белорусский государственный университет,, Минск, Беларусь
Поступила в редакцию: 24 ноября 1993 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1994 г.

Обсуждается возможность увеличения коэффициента резонансного прохождения под действием электрического поля в асимметричных двухбарьерных наноструктурах. Рассмотрено влияние асимметрии барьеров на вольт-амперные характеристики двухбарьерных структур.
  1. H. Sakaki, T. Matsusue, M. Tsuchiya. IEEE, J. Quant. Electron., \bf 25, 2498 (1989)
  2. \it Справочник по специальным функциям, под ред. М. Абрамовица, И.А. Стигуна (М., 1979)
  3. P. Gueret, C. Rossel, W. Schlup, H.P. Meier. J. Appl. Phys., \bf 66, 4312 (1989)
  4. J.H. Smet, T.P.E. Broekaerf, C.G. Fonstad. J. Appl. Phys., \bf 71, 2475 (1992)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.