"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
О некоторых особенностях кристаллизации SiC из газовой фазы на подложку методом сублимации
Бакин А.С.1, Дорожкин С.И.1, Таиров Ю.М.1
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 8 апреля 1994 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1994 г.

Рассмотрено влияние степени отклонения от равновесия в системе фаза--подложка на процессы кристаллизации SiC при выращивании методом сублимации.
  1. Y.M. Tairov, V.F. Tsvetkov. \it X-ray and Neutron Structure Analysis in Materials Science (N.Y.--London, Plenum Press, 1987) p. 331
  2. Y.M. Tairov, V.F. Tsvetkov. \it Progr. in Crystal Growth and Characterization. Crystal Growth and Characterization of Polytype Structures (Pergamon Press, 1983) \bf v. 7, p. 111
  3. Y.M. Tairov, V.F. Tsvetkov. Crystals. Growth, Properties and Applications (Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg, N.Y.--Tokyo, 1984) p. 3
  4. D.L. Barrett, J.P.Mc. Hugh, H.M. Hobgood, R.H. Hopkins, P.G. McMullin, R.C. Clarke. W.J. Choyke. J. Cryst. Growth, \bf 128, 358 (1993)
  5. A.S. Bakin, D.B. Chesnokova, D.A. Jaskov. J. Cryst. Growth, \bf 94, 651 (1989)
  6. Ю.А. Водаков, Г.А. Ломакина, Е.Н. Мохов. ФТТ, \bf 24, 1377 (1982)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.