"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние фотовозбуждения на эффективность дефектообразования при электронном облучении кремния
Болдырев С.Н.1, Мордкович В.Н.1, Омельяновская Н.М.1, Феклисова О.В.1, Ярыкин Н.А.1
1Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
Поступила в редакцию: 22 марта 1994 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1994 г.

Обнаружено, что дополнительная подсветка во время облучения кремния электронами с энергией 4 МэВ приводит к существенному уменьшению концентрации стабильных вакансионных комплексов, причем влияние фотовозбуждения может распространяться на сотни мкм от освещаемой поверхности. Изменение зарядового состояния подвижных точечных дефектов и кинетики дефектных реакций вследствие избыточной концентрации неосновных носителей заряда рассматриваются как наиболее вероятная причина обнаруженного эффекта.
  1. В.С. Вавилов, А.Е. Кив, О.Р. Ниязова. \it Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках (М., Наука, 1981)
  2. Т.В. Машовец. Чтения памяти А.Ф. Иоффе (М., Наука, 1986)
  3. М.К. Шейнкман. Письма ЖТФ, 9, 278 (1982)
  4. Ю.Н. Ерохин, А.Г. Итальянцев, В.Н. Мордкович. Письма ЖТФ, \bf 14, 835 (1988)
  5. А.Б. Данилин, Ю.Н. Ерохин, В.Н. Мордкович. Письма ЖТФ, \bf 15, 1 (1989)
  6. A.B. Danilin, Yu.N. Erokhin, V.N. Mordkovich. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res., \bf B59/60, 985 (1991)
  7. A.B. Danilin, Yu.N. Erokhin, V.N. Mordkovich, N. Hatzopoulos, P.L.F. Hemment. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res., \bf B69, 268 (1992)
  8. O.O. Awadelkarim, H. Weman, B.G. Svensson, J.L. Lindstrom. J. Appl. Phys., \bf 60, 1974 (1986)
  9. B.G. Svensson, B.M. Larsson, K.-H. Ryden. Mater. Sci. Forum, \bf 38--41, 1211 (1989)
  10. О.В. Бобрикова, В.Ф. Стась, Н.Н. Герасименко. ФТП, \bf 22, 1838 (1989)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.