"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотоэлектрические свойства структур p-GaAs/ n-Ge в линейно поляризованном излучении
Жиляев Ю.В.1, Назаров Н.1, Рудь В.Ю.1, Рудь Ю.В.1, Федоров Л.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 6 апреля 1993 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1994 г.

Методом газофазной эпитаксии получены эпитаксиальные слои арсенида галлия на подложках из германия. Исследованы фотоэлектрические свойства гетероструктур p-GaAs/n-Ge в неполяризованном и линейно поляризованном излучении. Показано, что при наклонном падении линейно поляризованного излучения на приемную поверхность GaAs возникает наведенный фотоплеохроизм, величина которого сохраняется постоянной в области 0.8--1.5 эВ и контролируется углом падения. Полученные зависимости квантовой эффективности фотопреобразования от угла падения в случае совмещения плоскостей падения и поляризации указывают на высокое структурное совершенство эпитаксиальных слоев GaAs на подложках из Ge. На основании полученных поляризационных параметров сделан вывод о перспективах применения гетероструктур GaAs/Ge в фотопреобразователях линейно поляризованного излучения.
  1. S.J. Wojtczuk, S.P. Tobin, C.J. Keavney, C. Bajgar, M.M. Sanfacon. IEEE Trans. Electron. Dev., \bf 37, 455 (1990)
  2. S.P. Tobin, S.M. Vernon, C. Bajgar, V.E. Haven, L.M. Geoffroy, D.R. Lillington. IEEE Electron. Dev. Lett., \bf 9, 256 (1988)
  3. Ю.В. Рудь. Изв. вузов СССР. Физика, 29, вып. 8, 68 (1986)
  4. \it Актуальные проблемы материаловедения, под ред. Э.Калдиса (М., Мир, 1983) вып. 2
  5. Г.С. Ландсберг. Оптика (М., 1976)
  6. Ю.В. Жиляев, Н. Назаров, В.Ю. Рудь, Л.М. Федоров. ФТП, \bf 27, 1611 (1993)
  7. Ю.В. Жиляев, А. Беркелиев, Н. Назаров, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, Л.М. Федоров. Письма ЖТФ, \bf 19, 53 (1993)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.