"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Дефекты в p-Si, облученном при 77 K: энергетический спектр и кинетика отжига
Абдуллин Х.А.1, Мукашев В.Н.1
1Физико-технический институт Академии наук Казахстана,, Алматы, Казахстан
Поступила в редакцию: 1 апреля 1994 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1994 г.

Методом нестационарной спектроскопии глубоких уровней (DLTS) исследованы спектры радиационных дефектов в кремнии p-типа проводимости, облученного электронами (~ 4 МэВ), протонами (~ 30 МэВ), либо alpha-частицами (~ 4 МэВ) при температуре 77 K. Обнаружено существенное влияние вида и условий облучения на спектры DLTS. При электронном облучении основными дефектами являются вакансии (H1: Ev+0.13 эВ) и межузельные атомы углерода (H3: Ev+0.29 эВ), при протонном и alpha-облучении --- дефекты с уровнями H4: Ev+0.20 эВ и Ec-0.39 эВ. Полоса H4 имеет значительную полуширину и сложную кинетику отжига. Четко выделена стадия отжига, подчиняющаяся кинетике 2 порядка, а при отжиге примерно (60--80)% дефектов кинетика полосы H4 становится близкой к 3 порядку. Инжекция неосновных носителей при 77 K вызывает быстрый отжиг дефектов H4. Наблюдалось появление дополнительных линий в спектрах DLTS при облучении образцов под обратным напряжением смещения. Получены дополнительные данные о собственном межузельном центре E1. Обнаружено, что инжекционный отжиг E1 при 77 K в образцах Чохральского вызывает появление, помимо центров H3 ( Ci), дефектов H7: Ev+0.13 эВ, которые идентифицированы как кислородсодержащие межузельные центры. Эти центры метастабильны и обратимо отжигаются, превращаясь в дефекты E1 при повышении температуры до ~ 200 K.
  1. G.D. Watkins, In: \it Radiation Damage in Semiconductors, ed. by P. Baruch (Dunod, Paris, 1964) p. 97
  2. G.D. Watkins. Inst. Phys. Conf. Ser., N 23, 1 (1975)
  3. G.D. Watkins, J.R. Troxell, A.P. Chatterjii. Inst. Phys. Conf. Ser., N 46, 16 (1978)
  4. Y. Bar-Yam, J.D. Joannopoulos. Phys. Rev. B, \bf 30, 2216 (1984)
  5. V.V. Emtsev, T.V. Mashovets, V.V. Mikhnovich, N.A. Vitovskii. Rad. Eff. Def. Sol., \bf 111--112, 99 (1989)
  6. В.В. Емцев, Т.В. Машовец, В.В. Михнович. ФТП, 26, 22 (1992)
  7. J.C. Bourgoin, W. Corbett. Phys. Lett. A, 38, 135 (1972)
  8. Ж. Бургуэн, М. Ланно. \it Точечные дефекты в полупроводниках. Экспериментальные аспекты (М., Мир, 1985)
  9. G.D. Watkins, J.R. Troxell, A.P. Chatterjee, R.D. Harrist, \it Int. Conf. on Radiation Physics of Semiconductors and Related Materials (Tbilici, 1979) p. 97
  10. R.D. Harris, G.D. Watkins. \it Proc. 13th Int. Conf. Defects in Semiconductors (Warrendale, PA, 1989) p. 799
  11. В.И. Губская, П.В. Кучинский, В.М. Ломако. ФТП, \bf 20, 1055 (1986)
  12. Kh.A. Abdullin, B.N. Mukashev, M.F. Tamendarov, T.B. Tashenov. Phys. Lett. A, \bf 144, 198 (1990)
  13. Х.А. Абдуллин, Б.Н. Мукашев, М.Ф. Тамендаров, Т.Б. Ташенов. Письма ЖТФ, \bf 18, 71 (1991)
  14. Х.А. Абдуллин, Б.Н. Мукашев, М.Ф. Тамендаров. ФТП, \bf 25, 684 (1991)
  15. Kh.A. Abdullin, B.N. Mukashev, M.F. Tamendarov, T.B. Tashenov. Phys. Lett. A, \bf 166, 40 (1992)
  16. Е.В. Чихрай, Х.А. Абдуллин. ФТП, 25, 751 (1991)
  17. L.C. Kimerling, P. Blood, W.M. Gibson. Inst. Phys. Conf. Ser., N 46, 273 (1978)
  18. L.C. Kimerling, M.J. Asom, J.L. Benton, P.J. Drevinsky, C.E. Caefer. Mater. Sci. Forum, \bf 38--41, 141 (1989)
  19. Дж. Динс, Дж. Винйард.\it Радиационные эффекты в твердых телах (М., 1960)
  20. T.R. Waire. Phys. Rev. B, 107, 463 (1957)
  21. D. Peak, J.W. Corbett. Phys. Rev. B, 5, 1226 (1972)
  22. A. Brelot, J. Charlemagne. Rad. Eff., 8, 161 (1971)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.