"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Светоуправляемые электрические поля в высокоомной МПМ структуре при наличии глубоких примесных уровней. 3. Влияние энергии примесного уровня
Резников Б.И.1, Царенков Г.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 1 апреля 1994 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1994 г.

Теоретически исследовано влияние глубоких примесей на фотоэффект в сильно смещенной высокоомной симметричной МПМ структуре при освещении монохроматическим светом (hnu>~= Eg). Решались полная система уравнений непрерывности в диффузионно-дрейфовом приближении и уравнение Пуассона. На границах металл--полупроводник учтена термоэмиссия электронов и дырок. Результаты приведены для структуры Au--CdTe--Au с одиночным примесным уровнем и для четырехуровневой модели. Показано, что инверсия (смена знака) электрического поля E0 у освещаемого анода, возникающая при больших интенсивностях, появляется при всех значениях энергии примесного уровня Et. Величина поля у анода |E0| максимальная при значении Et=Et1, минимальна при Et, близком к краям зон, и зависит от концентрации примеси Nt и интенсивности освещения. При различных Et профили электрического поля E(x) в толще полупроводника демонстрируют разнообразие от резкой ступеньки до почти линейной зависимости. Зависимость плотности тока j от Et представляет собой ''яму'' с крутыми стенками, глубина и ширина которой увеличиваются с ростом концентрации примеси. Это является следствием захвата фотогенерированных дырок примесями в толще структуры. Плотность тока имеет минимум при значении Et2# Et1. При этом с ростом Nt минимальное значение j стремится к величине jB=emupp*V/d, не зависящей от Nt (p* --- равновесная концентрация дырок в объеме). Для четырехуровневой модели показано наличие максимума электрического поля в толще структуры и заметное убывание поля к катоду, что связано с высокой концентрацией примесных уровней, степень заполнения которых в толще больше равновесной.
  1. Б.И. Резников, Г.В. Царенков. ФТП, 28, 242 (1994)
  2. Б.И. Резников, Г.В. Царенков. ФТП, 28, 867 (1994)
  3. П.Г. Кашерининов, Б.И. Резников, Г.В. Царенков. ФТП, \bf 26, 1480 (1992)
  4. Б.И. Резников, Г.В. Царенков. ФТП, 27, 1262 (1993)
  5. T. Takebe, J. Sarai, H. Matsunami. J. Appl. Phys., \bf 53, 457 (1982)
  6. М. Ламперт, П. Марк. \it Инжекционные токи в твердых телах (М., 1973)
  7. F.J. du Chatenier. Phil. Res. Rep., 23, 142 (1968)
  8. M. Samini, B. Biglary, M. Hage-Ali, J.M. Koebel, P. Siffert. Nucl. Instrum. Meth. A, \bf 283, 243 (1989)
  9. P. Jandl, M. Rick, J. Rosenzweig. Phys. St. Sol. (a), \bf 121, 219 (1990)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.