Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Амбиполярная диффузия и амбиполярный дрейф носителей заряда в пленках CuInSe₂

Белевич Н.Н.¹, Маковецкий Г.И.¹

¹Институт физики твердого тела и полупроводников Академии наук Беларуси,, Минск, Беларусь

Поступила в редакцию: 20 мая 1993 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 1994 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Сообщается о результатах исследований амбиполярной диффузии носителей заряда при комнатной температуре в пленках CuInSe₂ p-типа проводимости толщиной 1-3 мкм. Пленки CuInSe₂ получали путем одновременного вакуумного напыления отдельных компонентов состава. Для измерений применялась методика интерференционной решетки фотоносителей заряда. Длина амбиполярной диффузии L вычислялась из зависимости вторичного фототока, регистрировавшегося перпендикулярно полосам интерференции решетки, от периода решетки. Получено, что L имеет значения одного порядка с размерами кристаллов в пленке (от 360 до 420 нм). Проведен анализ зависимости длины диффузии от интенсивности освещения и величины электрического поля. Вычислены произведения ''подвижность x время жизни'': для различных образцов они находятся в пределах (3.4-2.5)· 10^-8 и 4.2·10^-4-1.6·10^-6 см²/В соответственно для электронов и дырок. Найдена зависимость времени жизни носителей заряда от интенсивности освещения.

K. Mitchel, C. Eberspacher, J. Ermer, D. Pier. \it 20th IEEE Photovolt. Spec. Conf. (Las Vegas, 1988) p. 735
K.W. B oer. Sol. Cells, 16, 591 (1986)
B. Dimmler, H. Dittrich, R. Menner, H.W. Schook. \it Proc. Int. Symp. on Trends and New Appl. in Thin Films (Strasbourg, 1987) p. 620
D. Ritter, E. Zeldov, K. Weiser. Appl. Phys. Lett., \bf 49, 791 (1986)
D. Ritter, K. Weiser. Phys. Rev. B, 34, 9031 (1986)
D. Ritter, K. Weiser E. Zeldov. J. Appl. Phys., \bf 62, 4563 (1989)
В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. \it Физика полупроводников (М., 1977)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель