Дефектно-примесный состав n-базы тиристоров из кремния
Колесников Н.В.1, Мальханов С.Е.1
1Технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 24 января 1994 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1994 г.
Показана возможность применения емкостных методов для контроля дефектно-примесного состава в структурах со встречно включенными p-n-переходами. Определен спектр энергетических уровней и сечения захвата носителей на эти уровни в области n-базы тиристора на кремнии.
- К.Д. Глинчук, Н.М. Литовченко, Р. Меркер. Полупроводниковая техника и микроэлектроника, вып. 25, 17 (1977)
- П. Блад, Дж. Ортон. Зарубеж. электрон., вып. 1, 3 (1981)
- C.T. Sah, C.T. Wang. J. Appl. Phys., 45, 1767 (1975)
- А. Милнс. \it Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках (М., Мир, 1977)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук