Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Релаксация поперечного акустоэлектрического напряжения в эпитаксиальных структурах GaAs

Островский И.В.¹, Сайко С.В.¹, Савкина Р.К.¹

¹Киевский университет, Киев, Украина

Поступила в редакцию: 3 августа 1993 г.

Выставление онлайн: 19 апреля 1994 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы амплитудные зависимости релаксационных характеристик акустоэлектрического напряжения в эпитаксиальных полупроводниковых структурах GaAs. Спадающий участок сигнала акустоэдс интерполирован суммой трех экспонент, соответствующих различным типам ловушек на границе раздела эпитаксиального слоя и подложки. При увеличении мощности возбуждающего радиочастотного импульса сильно возрастает вклад в поперечное акустоэлектрическое напряжение глубоко лежащих центров захвата. Это приводит к увеличению времени релаксации сигнала акустоэдс. По релаксационным характеристикам можно определить параметры глубоких центров захвата на границе раздела эпитаксиальный слой-подложка.

Р. Бьюб. Фотопроводимость твердых тел. М.: Иностр. лит. (1962)
A. Cola, M.G. Lupo, L. Vasanelli, A. Valentini. Sol. St. Electron., \bf 36, 785 (1993)
A. Abbate, K.J. Han, I.V. Ostrowskii, P. Das. Sol. St. Electron., \bf 36, 697 (1993)
A. Chantre, G. Vinsent, D. Bios. Phys. Rev. B, \bf 23, 5335 (1981)
F. Palma. J. Appl. Phys., 52, 6749 (1989)
M. Benabdeslem, I. Ostrowskii. Rev. Phys. Appl., \bf 25, 1005 (1990)
Ю.В. Гуляев, А.М. Кмита, А.В. Медведь, В.П. Плесский, Н.Н. Шибанов, В.Н. Федорец. ФТТ, \bf 17, 3505 (1975)
K.J. Han. Electrical Characterization of Semiconductors Using Surface Acoustic Wave, 200. Ph.D.thesis (1992)
А.В. Ржанов. ФТП, 6, 1495 (1972)
И.В. Островский, С.В. Сайко. ФТТ, 35, 1043 (1993)
D. Geguenheim, M. Lannoo. XX Int. Conf. Phys. of Semicond., \bf 1, 453. Thessaloniki (1990)
G.M. Martin, A. Mitonneau, A. Mircea. Electron. Lett., \bf 3, 191 (1977)
A. Mitionneau, G.M. Martin, A. Mircea. Electron. Lett., \bf 3, 666 (1977)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель