Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Особенности фотопроводимости и фотомагнитного эффекта в эпитаксиальных слоях Mn_xHg_1-xTe при низких температурах

Гасан-заде С.Г.¹, Жадько И.П.¹, Зинченко Э.А.¹, Сочинский Н.В.¹, Шепельский Г.А.¹

¹Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина Institute of Semiconductor Physics NASU, Kiev, Ukraine

Поступила в редакцию: 18 октября 1993 г.

Выставление онлайн: 19 апреля 1994 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Измерены спектральные, температурные и полевые зависимости фотомагнитного эффекта (ФМЭ) и фотопроводимости (ФП), а также коэффициент Холла R_H в эпитаксиальных слоях Mn_xHg_1-xTe/CdTe (x=0.09-0.012), выращенных методом жидкофазной эпитаксии. Особенность R_H в области температур 20-125 K объясняется двухслойной моделью. Обнаружен аномальный ФМЭ, связанный с наличием варизонности эпитаксиальных слоев вблизи гетерограницы. При температуре жидкого гелия 4.2 K в ФМЭ доминирует разогревная составляющая, которая осциллирует в магнитном поле. Из данных ФП получены температурные зависимости времени жизни носителей тока в эпитаксиальных слоях в диапазоне температур 4.2-290 K.

N.V. Sochinskii. Proc. workshop "Adv. infrared technology and application", 29. Firenze (Italy) (1992)
М.М. Трифонова, Н.С. Барышев, М.П. Мезенцева. ФТП, \bf 25, 1014 (1991)
L.F.Low, W.H. Frye. J. Appl. Phys., 56, 2253 (1984)
А.В. Буянов, С.Г. Гасан-заде, И.П. Жадько и др. ФТП, \bf 26, 629 (1992)
Р.И. Лягущенко, Р.В. Парфеньев, И.И. Фарбштейн и др. ФТТ, \bf 10, 2241 (1968)
Е.И. Георгицэ, В.И. Иванов-Омский, Б.Т. Коломиец и др. ФТП, \bf 5, 1767 (1971)
В.Е.Беговатов, Н.С. Барышев, М.П. Мезенцева и др. Матер. VIII Всес. симп. "Полупроводники с узкой запрещенной зоной и полуметаллы". Ч. 1, 106. Львов (1991)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель