"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Электронный спектр двух- и трехмерных квантовых ям на основе узкощелевых полупроводников
Идлис Б.Г.1, Усманов М.Ш.1
1Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 8 июля 1993 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1994 г.

На примере двух- и трехмерных квантовых ям, образованных узкощелевыми полупроводниками с взаимно инвертированными зонами, изучены спектры приграничных состояний. Показано, что от верхней и нижней зон объемного спектра отщепляется серия дискретных уровней, отличающихся значениями полного углового момента.
  1. O.A. Pankratov, S.V. Pakhomov, B.A. Volkov. Sol. St. Commun., \bf 61, 93 (1987)
  2. Б.Г. Идлис, М.Ш. Усманов. Препринт N 1, ФИ РАН (1993)
  3. В.А. Волков, Т.Н. Пинскер. ФТТ, 23, 1756 (1981)
  4. Б.Г. Идлис, М.Ш. Усманов. ФТП, 26, 329 (1992)
  5. А.В. Колесников, А.П. Силин. Препринт N 21, ФИ РАН (1993)
  6. Ал.Л. Эфрос, А.Л. Эфрос. ФТП, 16, 1209 (1982)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.