"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Изменения электрофизических параметров систем Si--SiO 2, индуцированные импульсным магнитным полем
Масловский В.М.1, Климов Ю.А.1, Самсонов Н.С.1, Симанович Е.В.1
1Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В.Лукина,, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 9 августа 1993 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1994 г.

Исследуются изменения гистограмм значений времен релаксации tau нестационарной емкости кремневых МДП структур, а также заряда на межфазной границе Si-SiO2 после воздействия импульсного магнитного поля. Установлено появление магнитно-индуцированных долговременных изменений положения пика на гистограмме значений tau после окончания кратковременного (менее 1 мин) воздействия, а также увеличение положительного встроенного в диэлектрик заряда. Необратимое изменение генерационного времени жизни носителей в кремнии обусловлено влиянием импульсного магнитного поля на спин-зависимые квазихимические реакции распада метастабильных примесно-дефектных комплексов с последующим образованием генерационных центров. Обнаружено, что электрическое поле в обедненном слое кремния ускоряет деградационные процессы лишь после воздействия импульсного магнитного поля. Это обусловлено миграцией в электрическом поле продуктов распада - собственных и примесных точечных дефектов.
  1. В.М. Масловский, С.Н. Постников. Матер. IV межд. науч.-техн. сем. по нетрадиционным технологиям, Ботевград-1989, 5. София--Горький (1989)
  2. Ю.А. Климов, В.М. Масловский, В.В. Минаев, С.Н. Постников. Матер. VI Всес. конф. по физике диэлектриков, сер. 6, Материалы, вып. 5 (281), 50 (1988)
  3. Ю.А. Климов, В.М. Масловский, В.В. Тарасенко. Электрон. техн., сер. 3, Микроэлектроника, вып. 5 (139), 20(1990)
  4. Я.Б. Зельдович, А.Л. Бучаченко, Е.Л. Франкевич. УФН, \bf 155, 3 (1988)
  5. Ю.А. Климов, В.М. Масловский, К.В. Холоднов. Электрон. техн., сер. 3, Микроэлектроника, вып. 5 (144), 22 (1991)
  6. П.Ю. Ефиценко, И. Мавлоназаров, В.М. Микушев, Е.В. Чарная. ФТТ, \bf 34, 1753 (1992)
  7. Kholodnov K.V., V.M. Maslovsky, N.S. Samsonov. Mater. Res. Soc. Fall Meeting, Abstracts, 133 (1992)
  8. В.Н. Давыдов, Е.А. Лоскутова, Е.П. Найден. ФТП, \bf 23, 1596 (1989)
  9. Н.Т. Баграев, Л.С. Власенко. ФТТ, 21, 120 (1979)
  10. В.Г. Литовченко, А.П. Горбань. Основы физики микроэлектронных систем металл--диэлектрик--полупроводник. Киев (1978)
  11. А.Г. Кадменский, С.Г. Кадменский, М.Н. Левин, В.М. Масловский, В.Е. Чернышев. Письма в ЖТФ, \bf 19, 41 (1993)
  12. Y.H. Lee, J.W. Corbett, K.L. Brower. Phys. St. Sol. (a), \bf 41, 637 (1977)
  13. Г.С. Мякенькая, Г.Л. Гуцев. ФТП, 27, 391 (1993)
  14. Ю.В. Выжигин, Н.А. Соболев, Б.Н. Грессеров, Е.И. Шек. ФТП, \bf 26, 1938 (1992)
  15. П.Ф. Лугаков, В.В. Лукьяница. ФТП, 24, 1721 (1990)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.