"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Эффекты релаксации области пространственного заряда полупроводника при термостимулированной деполяризации МДП структур
Ждан А.Г.1, Маркин Ю.В.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,, Фрязино, Россия
Поступила в редакцию: 29 июня 1993 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1994 г.

Рассмотрено влияние взаимодействия подсистемы релаксаторов диэлектрика с электронной подсистемой полупроводника на характер процессов термостимулированной деполяризации (ТСД) МДП структур. Построена теория процесса ТСД с учетом изменения падения напряжения на диэлектрике, обусловленного релаксацией области пространственного заряда (ОПЗ) полупроводника. Показано, что релаксация ОПЗ радикально модифицирует форму и количественные параметры пиков тока ТСД: пики тока расщепляются или уширяются, а их площадь заметно уменьшается. Стандартная процедура обработки таких пиков дает нереальные значения параметров, характеризующих процесс ТСД. Развит новый подход к исследованиям ТСД МДП структуры, основанный на синхронных измерениях температурных зависимостей тока деполяризации J(T) и высокочастотной емкости CHF(T). По этой методике выполнены эксперименты на МОП структурах с термическим окислом толщиной 2·10-5 см и площадью 10-2 см2, изготовленных на основе Si, легированного P, с удельным сопротивлением порядка 4.5 Ом·см и ориентацией (100). Термополевым стрессом при 473 K и напряжении Vg=10 B индуцировалось смещение подвижных положительных ионов в SiO2 к границе его раздела с Si. После охлаждения структуры до 200 K и инвертирования знака Vg осуществлялся обычный алгоритм измерения ТСД с одновременной регистрацией зависимостей J(T) и CHF(T). Данные экспериментов хорошо описываются теорией, построенной для простейшего случая чисто термоэмиссионного переноса ионов в SiO2 в условиях, когда индуцируемое смещением ионов изменение поверхностного потенциала Si не приводит к нарушению термодинамического равновесия в ОПЗ полупроводника.
  1. Ю.А. Гороховатский, Г.А. Бордовский. Термоактивационная токовая спектроскопия высокоомных полупроводников и диэлектриков. М. (1991)
  2. А.П. Стецовский, Ю.В. Зеленев. Релаксационная спектроскопия полимерных материалов. М. (1991)
  3. В.Н. Вертопрахов, Е.Г. Сальман. Термостимулированные токи в неорганических веществах. Новосибирск (1979)
  4. E.H. Nicollian, J.R. Brews. MOS (Metal-Oxide-Semiconductor) physics and technology. N.Y. (1982)
  5. И.Е. Тамм. Основы теории электричества. М. (1989)
  6. T.W. Hickmott. J. Appl. Phys., 46, 2583 (1975)
  7. А.Г. Ждан, В.Б. Сандомирский, А.Д. Ожередов. ФТП, \bf 2, 11 (1968)
  8. Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан, А.М. Клочкова, Ю.В. Маркин. ФТП, \bf 24, 159 (1990)
  9. Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан, А.М. Сумарока. ФТП, 26, 2048 (1992)
  10. В.И. Антоненко, А.Г. Ждан, А.И. Минченко, П.С. Сульженко. ФТП, \bf 20, 208 (1986)
  11. M.L. Reed. Semicond. Sci. Techn., 4, 980 (1989)
  12. A. Harstein, A.B. Fowler. Surf. Sci., 73, 19 (1978)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.