Теоретически и экспериментально изучается аномальная релаксация тока в p-n-структуре, при которой одному типу глубоких состояний соответствуют два пика в спектрах обзорных методов спектроскопии глубоких центров. Выполнены расчеты для модельной p-pi-n-структуры с одним типом глубоких центров, в результате которых получены аномальные спектры. Найдено соотношение, которое связывает температуру максимума термостимулированного тока с параметрами структуры. Приводятся экспериментальные данные для p-n-структуры на основе GaAs, которые объясняются в рамках рассмотренной модели.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.