"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Аномальные (с двумя максимумами) пики в спектрах токовой спектроскопии в p-n-структуре, связанные с одним типом глубоких состояний
Урманов Н.А.1, Гафурова М.В.1
1Физико-технический институт им. С.В. Стародубцева Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
Поступила в редакцию: 13 марта 1993 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1993 г.

Теоретически и экспериментально изучается аномальная релаксация тока в p-n-структуре, при которой одному типу глубоких состояний соответствуют два пика в спектрах обзорных методов спектроскопии глубоких центров. Выполнены расчеты для модельной p-pi-n-структуры с одним типом глубоких центров, в результате которых получены аномальные спектры. Найдено соотношение, которое связывает температуру максимума термостимулированного тока с параметрами структуры. Приводятся экспериментальные данные для p-n-структуры на основе GaAs, которые объясняются в рамках рассмотренной модели.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.