"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование комплекса VGaSnGa в GaAs методами поляризованной фотолюминесценции и пьезоспектроскопии II. Явление двухступенчатого выстраивания
Гуткин А.А.1, Рещиков М.А.1, Сосновский В.Р.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 5 марта 1993 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1993 г.

Наблюдаемая при температуре 2 K и одноосном давлении вдоль направления [111] или [110] двухступенчатая зависимость поляризации фотолюминесценции комплекса VGaSnGa в GaAs от величины давления объяснена появлением при значениях давления, превосходящих некоторую критическую величину, дополнительного выстраивания, происходящего в группе комплексов VGaSnGa с определенной ориентацией исходной оси VGa-SnGa относительно направления давления. Такое выстраивание происходит при подавлении внешней одноосной деформацией возмущения состояния вакансии Ga, вызываемого атомом Sn, находящимся в ближайшем VGa узле подрешетки Ga. Обсуждены возможные причины отсутствия двухступенчатого выстраивания в комплексах VGaTeAs.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.