"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование комплекса VGaSnGa в GaAs методами поляризованной фотолюминесценции и пьезоспектроскопии I. Строение комплекса и его переориентация при низких одноосных давлениях
Гуткин А.А.1, Рещиков М.А.1, Сосновский В.Р.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 5 марта 1993 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1993 г.

При температурах 2 и 77 K в n-GaAs : Sn исследована широкая полоса фотолюминесценции с максимумом вблизи энергии фотонов 1.2 эВ, связываемая с комплексом VGaSnGa. Обнаружено, что поляризационные диаграммы и пьезоспектроскопические зависимости фотолюминесценции в диапазоне давлений 0-4 кбар подобны полученным ранее для комплекса VGaTeAs и свидетельствуют о триклинной симметрии исследуемых комплексов и их выстраивании при давлении вдоль оси [111] или [110]. Численные расчеты указанных характеристик проведены в модели, описывающей искажения Td-симметрии решетки в области комплекса в виде суперпозиции искажений вдоль различных кристаллографических направлений. Качественное согласие с экспериментом может быть достигнуто, если одна из компонент искажения совпадает по направлению с осью пары VGa-SnGa (направление типа <110>), а компонента искажения, переориентирующаяся при низких температурах, направлена вдоль оси типа <111>, перпендикулярной оси пары. Выстраивание комплексов при одноосном давлении обусловлено выстраиванием переориентирующихся компонент их искажения.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.