"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Расчет температурных полей в монокристаллах GaAs, выращиваемых в тонком слое расплава методом Киропулоса с жидкостной герметизацией
Ковтун Г.П.1, Кравченко А.И.1, Жуков А.И.1, Стерлев А.Н.1, Щербань А.П.1
1Национальный научный центр "Харьковский физико-технический институт", Харьков, Украина
Поступила в редакцию: 30 ноября 1992 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1993 г.

Приведены результаты выполненных с применением компьютерного моделирования расчетов температурных полей в монокристаллах GaAs, выращиваемых в тонком слое расплава методом Киропулоса с жидкостной герметизацией (ТС-ЖГК). Показано, что с применением донного, бокового и погруженного во флюс дополнительного нагревателя ТС-ЖГК методом может быть выполнена кристаллизация слоя GaAs толщиной 0.5-1.0 мм в тигле большого (80-130 мм) диаметра в температурных полях с низкими значениями вертикальной (6-18 К/см) и радиальной (2-29 К/см) составляющих градиента температуры.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.