Проведен анализ причин, приводящих к различию дозовых зависимостей интенсивностей различных полос люминесценции в полупроводниках. На примере изучения зависимости интенсивности полос люминесценции с положением максимума излучения hnu_m=1.20 и 1.51 эВ в кристаллах n-GaAs<Te> от дозы облучения быстрыми электронами показано, что это различие может быть действительно обусловлено не только радиационно-стимулированным изменением концентрации центров люминесценции, но и различием видов зависимостей интенсивности полос люминесценции от интенсивности возбуждения люминесценции. Отмеченное необходимо учитывать при определении из дозовых зависимостей интенсивности полос люминесценции радиационно-стимулированных изменений концентрации центров люминесценции.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.