"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
О причинах различия дозовых зависимостей интенсивности различных полос люминесценции в облученных быстрыми частицами полупроводниковых соединениях AIIIBV
Винник Е.В.1, Глинчук К.Д.1, Гурошев В.И.1, Прохорович А.В.1
1Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 30 ноября 1992 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1993 г.

Проведен анализ причин, приводящих к различию дозовых зависимостей интенсивностей различных полос люминесценции в полупроводниках. На примере изучения зависимости интенсивности полос люминесценции с положением максимума излучения hnum=1.20 и 1.51 эВ в кристаллах n-GaAs<Te> от дозы облучения быстрыми электронами показано, что это различие может быть действительно обусловлено не только радиационно-стимулированным изменением концентрации центров люминесценции, но и различием видов зависимостей интенсивности полос люминесценции от интенсивности возбуждения люминесценции. Отмеченное необходимо учитывать при определении из дозовых зависимостей интенсивности полос люминесценции радиационно-стимулированных изменений концентрации центров люминесценции.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.