Исследованы вольт-фарадные характеристики (ВФХ) контакта Шоттки к структуре, содержащей периодическую последовательность квантовых ям, разделенных туннельно-непрозрачными барьерами. Обнаружено, что зависимость емкости от напряжения при низких температурах имеет ступенчатый вид с постоянным скачком обратной емкости. Предложен метод нахождения поверхностной концентрации электронов в квантовых ямах из ВФХ. Показано, что проникновение электрического поля из барьера Шоттки в структуру может иметь осцилляторную зависимость от координаты.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.