"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Изменение электросопротивления тензорезисторов при изгибе
Антипов С.А.1, Батаронов И.А.1, Дрожжин А.И.1, Рощупкин А.М.1
1Воронежский политехнический институт,, Воронеж, Россия
Поступила в редакцию: 19 марта 1992 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1993 г.

Представлены результаты исследования изменения электросопротивления тензорезисторов на основе нитевидных кристаллов кремния при изгибе. Тензорезисторы имели p-тип проводимости, длину (0.5/5)·10-3 м, диаметр (2-5)·10-5, удельное сопротивление (1/6)·10-4 Ом·м, общее электросопротивление 100-500 Ом, коэффициент тензочувствительности 80-150. Изгиб свободных (неприклеенных) тензорезисторов осуществлялся на специально сконструированных установках по двух- и трехточечной схемам приложения сил. Обнаруженное изменение электросопротивления описано аналитически, при этом учтен неоднородный характер изменения удельного электросопротивления различных участков поперечного сечения.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.