"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Люминесценция поляритонов вблизи поверхности в арсениде галлия
Бойко С.И.1, Горбань И.С.1, Крохмаль А.П.1, Осинский В.И.1, Рожко И.А.1
1Киевский государственный университет им. Т.Г. Шевченко,, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 1 августа 1991 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1993 г.

При гелиевых температурах исследованы спектры фотолюминесценции (ФЛ) и n-1 экситонного отражения эпитаксиальных структур i-n--, i-n--n- и i-n--n-n+-GaAs, выращенных МОС-гидридным способом, электронный тип проводимости которых достигался легированием Si. На некоторых эпитаксиальных слоях, имеющих множество поверхностных структурных дефектов, таких как: микропоры, микротрещины, овальные дефекты и др., собственная ФЛ проявляется в виде интенсивной одиночной полосы при 1.51514 эВ. Показано, что при затухании Gamma<Gammacr указанная полоса обусловлена люминесценцией поляритонов вблизи поверхности, а при Gamma>Gammacr --- резонансной люминесценцией n-1 экситона.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.