"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотомагнитный эффект n-InSb в сильном электрическом и квантующем магнитном полях
Кадушкин В.И.1
1Научно-исследовательский технологический институт,, Рязань, Россия
Поступила в редакцию: 28 мая 1992 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1993 г.

В экспериментах с n-InSb (n=1.52·1016 см-3 и mu=58 000 см2/В·с) при гелиевых температурах обнаружено аномальное воздействие тока j (jx,0,0) на ЭДС ФМЭ в квантующем магнитном поле B (0,0,Bz). Наблюдалось аномальное увеличение амплитуды осцилляций и смещение экстремумов. Эти явления имеют неразогревную природу. Измерения вольт-амперных характеристик ЭДС ФМЭ обнаружили эффект увеличения ЭДС ФМЭ для одного направления тока через образец и уменьшение ЭДС ФМЭ для противоположного направления. Эти аномалии объяснены компонентой ЭДС ФМЭ дрейфового типа, обусловленной полем Холла Ey. Из теоретического анализа дрейфовой компоненты следует, что дрейфовая скорость одного порядка с диффузионной и ЭДС ФМЗ пропорциональна произведению jxB2z. Именно такая зависимость наблюдается в опытах.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.