"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Диагностика пленок арсенида галлия, выращенных методом атомно-слоевой эписаксии
Кольченко Т.И.1, Коява В.Т.1, Ломако В.М.1
1Научно-исследовательский институт прикладных физических проблем им. А.Н. Севченко при Белорусском государственном университете им. В.И. Ленина,, Минск, Беларусь
Поступила в редакцию: 10 января 1992 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1993 г.

С помощью измерений комбинационного рассеяния света, низкотемпературной (4.5 K) фотолюминесценции (ФЛ), коэффициента Холла и электропроводности проанализировано качество слоев GaAs, выращенных методом атомно-слоевой эпитаксии из газовой фазы металлоорганических соединений при различных температурах подложки (435-600oC). Установлено, что исследованные слои обладают дырочной проводимостью, обусловленной присутствием акцепторов углерода. Показано, что по мере увеличения температуры осаждения наблюдается постепенное улучшение качества слоев, сопровождающееся снижением концентрации дырок и ростом их подвижности. Высокая степень чистоты и совершенства пленки, выращенной при T=600oC, подтверждается результатами анализа спектра экситонной полосы ФЛ. Проведено также сравнение характеристик слоев, полученных на подложках GaAs и Ge в одном технологическом процессе. Показано, что свойства слоев GaAs/Ge заметно отличаются от свойств гомоэпитаксиальных слоев.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.