Рассматривается зависимость дрейфовой скорости электронов в полупроводнике от электрического поля, когда доминирующим механизмом, ограничивающим рост скорости электронов, является рассеяние оптическими фононами. Предложено использовать эффект ограничения дрейфовой скорости электрона для определения энергии оптического фонона при известной эффективной массе электрона либо, наоборот, для определения эффективной массы электрона при известной энергии оптического фонона. Рассматривается взаимодействие дрейфующих электронов с оптическими фононами в одиночной квантовой яме. Предложены гетероструктуры, в которых благодаря квантованию электронного и фононного спектров рассеяние оптическими фононами подавляется.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.