"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Преобразование системы дефектов вблизи поверхности кристаллов CdTe, ZnxCd1-xTe, CdTe1-xSex, обработанных ионами аргона
Бабенцов В.Н.1, Бекетов Г.В.1, Горбань С.И.1
1Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
Выставление онлайн: 17 февраля 1993 г.

Методами низкотемпературной фотолюминесценции, рентгеновского микроанализа, вторичной ионной масс-спектрометрии в сочетании с послойным стравливанием исследовано изменение примесно-дефектного состава CdTe p- и n-типов проводимости и твердых растворов ZnxCd1-xTe (x=<0.05) и CdTe1-xSex (x=< 0.05) под действием аргонового травления. Показано, что в тонком (~0.1 мкм) поверхностном слое в результате обработки возникает новая S-полоса фотолюминесценции, которая вызвана рекомбинацией через донорно-акцепторные пары, в состав которых входят атомы Li или Cl, пространственно расположенные в напряженных областях вблизи дислокационных петель или кластеров. Эффект дальнодействия травления Ar+ обусловлен термическим нагревом решетки и связанным с ним отклонением от стехиометрии, что вызывает изменение примесно-дефектного ансамбля.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.