"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Электрическое переключение проводимости с памятью в кремниевых МДП cтруктурах с диэлектриком из фторида эрбия
Рожков В.А.1, Шалимова М.Б.1
1Самарский государственный университет,, Самара, Россия
Выставление онлайн: 17 февраля 1993 г.

Исследовано явление электрического переключения проводимости с памятью в кремниевых МДП структурах и структурах металл-диэлектрик-металл с диэлектрической пленкой фторида эрбия. Установлено, что структуры многократно и воспроизводимо переключаются из высокоомного (~1011 Ом) в низкоомное (104-105 Ом) состояние и обратно под действием электрического напряжения определенной полярности. Оба состояния устойчивы и сохраняются при отключении питания. Время переключения проводимости составляет 0.6-1 мкс. Изучены свойства высокоомного и низкоомного состояний и определены зависимости порогового напряжения переключения от температуры. Обнаружен эффект термического переключения проводимости структур. Показано, что явления переключения проводимости и памяти связаны с электронно-термическими процессами, происходящими в локальных участках пленки фторида эрбия, которые приводят к фазовому переходу в материале диэлектрика и формированию проводящего канала.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.