Получены аналитические выражения для эффективных масс дырочных подзон размерного квантования гетероструктур полупроводников с вырожденной валентной зоной с учетом гофрировки дырочного спектра в напряженных квантовых слоях разной ориентации. Рассмотрена зависимость дисперсии подзон от направления роста гетероструктуры, величины скачка края валентной зоны на гетерогранице, толщины пленки и ее деформации. Обсуждается влияние гофрировки и деформации на поведение масс подзон вблизи перехода полупроводник-полуметалл-полупроводник в гетероструктурах типа CdTe-HgTe.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.