"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Получение слоев GaN с пониженной плотностью дислокаций методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Алексеев А.Н.1, Красовицкий Д.М.2, Петров С.И.1, Чалый В.П.2
1ЗАО "НТО," Санкт-Петербург, Россия
2Акционерное общество "Светлана-Рост", Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 25 апреля 2012 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2012 г.

Использование многослойного буферного слоя, включающего высокотемпературный слой AlN, выращенный при температуре более 1100oC, позволило понизить плотность дислокаций в слое GaN на 1.5--2 порядка до значений 9·108-1· 109 см-2 по сравнению с выращиванием на тонком невысокотемпературном зародышевом слое AlN. Уменьшение плотности дислокаций привело к значительному увеличению подвижности электронов в слоях GaN, до значений 600-650 см2/B·c, что согласуется с данными расчетов и свидетельствует о высоком кристаллическом совершенстве полученных слоев.
  1. J.B. Webb, H. Tang, J.A. Bardwell, S. Moisa, C. Peters, T. MacElwee. J. Cryst. Growth, 230, 584 (2001)
  2. S. Nakamura, T. Mukai, M. Senoh. J. Appl. Phys., 71, 5543 (1992)
  3. G. Koblmuller, F. Wu, T. Mates, J.S. Speck, S. Fernandez-Garrido, E. Calleja. Appl. Phys. Lett., 91, 221 905 (2007)
  4. I. Akasaki, H. Amano. Jpn. J. Appl. Phys., 45, 9001 (2006)
  5. H.M. Ng, D. Doppalapudi, T.D. Moustakas, N.G. Weimann, L.F. Eastman. Appl. Phys. Lett., 73, 821 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.