Получение слоев GaN с пониженной плотностью дислокаций методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Алексеев А.Н.1, Красовицкий Д.М.2, Петров С.И.1, Чалый В.П.2
1ЗАО "НТО," Санкт-Петербург, Россия
2Акционерное общество "Светлана-Рост", Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 25 апреля 2012 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2012 г.
Использование многослойного буферного слоя, включающего высокотемпературный слой AlN, выращенный при температуре более 1100oC, позволило понизить плотность дислокаций в слое GaN на 1.5-2 порядка до значений 9·108-1· 109 см-2 по сравнению с выращиванием на тонком невысокотемпературном зародышевом слое AlN. Уменьшение плотности дислокаций привело к значительному увеличению подвижности электронов в слоях GaN, до значений 600-650 см2/B·c, что согласуется с данными расчетов и свидетельствует о высоком кристаллическом совершенстве полученных слоев.
- J.B. Webb, H. Tang, J.A. Bardwell, S. Moisa, C. Peters, T. MacElwee. J. Cryst. Growth, 230, 584 (2001)
- S. Nakamura, T. Mukai, M. Senoh. J. Appl. Phys., 71, 5543 (1992)
- G. Koblmuller, F. Wu, T. Mates, J.S. Speck, S. Fernandez-Garrido, E. Calleja. Appl. Phys. Lett., 91, 221 905 (2007)
- I. Akasaki, H. Amano. Jpn. J. Appl. Phys., 45, 9001 (2006)
- H.M. Ng, D. Doppalapudi, T.D. Moustakas, N.G. Weimann, L.F. Eastman. Appl. Phys. Lett., 73, 821 (1998)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
