Использование многослойного буферного слоя, включающего высокотемпературный слой AlN, выращенный при температуре более 1100^oC, позволило понизить плотность дислокаций в слое GaN на 1.5-2 порядка до значений 9·10⁸-1· 10⁹ см^-2 по сравнению с выращиванием на тонком невысокотемпературном зародышевом слое AlN. Уменьшение плотности дислокаций привело к значительному увеличению подвижности электронов в слоях GaN, до значений 600-650 см²/B·c, что согласуется с данными расчетов и свидетельствует о высоком кристаллическом совершенстве полученных слоев.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.