Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

О росте монокристаллов карбида кремния политипа 4H на затравках с плоскостью (1122)

Фадеев А.Ю.¹, Лебедев А.О.², Таиров Ю.М.¹

¹Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia

St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia

²Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 10 апреля 2012 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 2012 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы особенности дефектной структуры слитков карбида кремния политипа 4H, выращенных модифицированным методом Лели на затравках с ориентацией поверхности (11 22). Показано, что данная плоскость затравки может быть использована для улучшения структурного совершенства слитков карбида кремния. Дефектная структура характеризуется полным отсутствием микропор, а также снижением плотности дислокаций (на порядок величины), по сравнению с затравкой. В то же время при росте на плоскости затравки (1122) наблюдается накопление дефектов упаковки. Характер дефектов упаковки отвечает формульному типу (5,2) в нотации Жданова (внутренний дефект по Франку).

В.В. Лучинин, Ю.М. Таиров. Петербургский журн. электроники, 3, 53 (1996)
H. Shiomi, H. Kinoshita, T. Furusho, T. Hayashi, M. Tajima, E. Higashi. J. Cryst. Growth, 292, 188 (2006)
J. Li, O. Filip, B.M. Epelbaum, X. Xu, M. Bickermann, A. Winnacker. J. Cryst. Growth, 308, 41 (2007)
H.-J. Rost, M. Schmidbauer, D. Siche, R. Fornari. J. Cryst. Growth, 290, 137 (2006)
S. Lele, B. Prasad, T.R. Anantharaman. Acta Crystallogr. A, 25, 471 (1969)
G. Feng, J. Suda, T. Kimoto. Physica B, 404, 4745 (2009)
S. Maximenko, J.A. Freitas, Jr., P.B. Klein, A. Shrivastava, T.S. Sudarshan Appl. Phys. Lett., 94, 092 101 (2009)
G. Feng, J. Suda, T. Kimoto. Appl. Phys. Lett., 92, 221 906 (2008)
H. Tsuchida, I. Kamata, M. Nagano. J. Cryst. Growth, 310, 757 (2008)
H. Song, T. Rana, T.S. Sudarshan. J. Cryst. Growth, 320, 95 (2011)
А. Верма, П. Кришна. Полиморфизм и политипизм в кристаллах (М.: Мир, 1969) с. 85
А.О. Лебедев. Завод. лаб.: диагностика материалов, 3, 16 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель