Экспериментально исследованы температурные зависимости темнового тока фотодетекторов инфракрасного излучения на основе структур с квантовыми ямами. Установлено, что предэкспоненциальный множитель в аналитическом выражении для вольт-амперной характеристики детектора линейно зависит от температуры. На основании полученных результатов было сделано предположение, что температурная зависимость темнового тока детекторов определяется термогенерацией электронов в зону с двумерной плотностью состояний. Указанное предположение позволило предложить уточненную модель вольт-амперной характеристики, учитывающую особенности термогенерации носителей в зону с двумерной плотностью состояний, полевую зависимость термической энергии активации основного состояния в квантовой яме и дрейфовой скорости носителей в зоне проводимости в барьерах.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.