"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Терагерцовое излучение при межзонном фотовозбуждении слоев GaN
Захарьин А.О.1, Бобылев А.В.1, Андрианов А.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 6 марта 2012 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2012 г.

Сообщается об экспериментальном обнаружении и исследовании терагерцовой фотолюминесценции при стационарном, межзонном фотовозбуждении эпитаксиальных слоев n-GaN(Si). Свойства спектра терагерцового излучения, его зависимость от температуры и интенсивности фотовозбуждения свидетельствуют о том, что излучение возникает в результате захвата неравновесных электронов на заряженные доноры. При низких температурах в материале n-типа заряженные доноры могут образовываться в результате рекомбинации неравновесных дырок с электронами, локализованными на донорных центрах. Основной вклад в терагерцовую фотолюминесценцию дают 2P-> 1S оптические переходы между первым возбужденнным и основным состоянием доноров. Кроме того, в спектре терагерцового излучения проявляются оптические переходы электронов из состояний в зоне проводимости на основное состояние доноров, а также переходы на возбужденные состояния доноров.
  1. B. Ferguson, X.-C. Zhang. Nature Mater., 1, 26 (2002)
  2. P.H. Siegel. IEEE Trans. Microwave Theory and Technigues, 50, 910 (2002)
  3. S.H. Koenig, R.D. Brown. Phys. Rev. Lett., 4, 170 (1960)
  4. I. Melngailis, G.E. Stillman, J.O. Dimmock, C.M. Wolfe. Phys. Rev. Lett., 23, 1111 (1969)
  5. T.N. Adam, R.T. Troeger, S.K. Ray, P.-C. Lv, J. Kolodzey. Appl. Phys. Lett., 83, 713 (2003)
  6. А.В. Андрианов, А.О. Захарьин, И.Н. Яссиевич, Н.Н. Зиновьев. Письма ЖЭТФ, 79, 448 (2004)
  7. P.-C. Lv, X. Zhang, J. Kolodzey, A. Powell. Appl. Phys. Lett., 87, 241 114 (2005)
  8. M.A. Odnobludov, I.N. Yassievich, M.S. Kagan, Yu.M. Galperin, K.A. Chao. Phys. Rev. Lett., 83, 644 (1999)
  9. S.G. Pavlov, R.Kh. Zhukavin, E.E. Orlova, V.N. Shastin, A.V. Kirsanov, V.-W. Hubers, K. Auen, H. Riemann. Phys. Rev. Lett., 84, 5220 (2000)
  10. А.В. Андрианов, А.О. Захарьин, Ю.Л. Иванов, М.С. Кипа. Письма ЖЭТФ, 91, 102 (2010)
  11. A.O. Zakhar'in, A.V. Andrianov, A.Yu. Egorov, N.N. Zinov'ev. Appl. Phys. Lett., 96, 211 118 (2010)
  12. В.Н. Абакумов, В.И. Перель, И.Н. Яссиевич. Безызлучательная рекомбинация в полупроводниках (СПб., Изд-во ПИЯФ РАН, 1997)
  13. J.H. Edgar, S.T. Strite, A. Akasaki, H. Amano, C. Wetzel. Properties, Processing and Applications of Galium Nitride and Related Semiconductors (London, IN-CPEC, 1999)
  14. Y. Deng, R. Kersting, J. Wu, R. Ascazubi, X.C. Zhang, M.S. Shur, M.S. Shur, R. Gaska, G.S. Simin, M. Asif Khan, V. Ryzhii. Appl. Phys. Lett., 84, 70 (2004)
  15. N. Dyakonova, A.E. Fatimy, J. usakowski, W. Knap, M.I. Dyakonov, M.-A. Poisson, E. Morvan, S. Bollaert, A. Shchepetov, Y. Roelens. Appl. Phys. Lett., 88, 141 906 (2006)
  16. V.A. Shalygin, L.E. Vorobjev, D.A. Firsov, V.Yu. Panevin, A.N. Sofronov, G.A. Melentyev, A.V. Antonov, V.I. Gavrilenko, A.V. Andrianov, A.O. Zakharin, S. Suihkonen, P.T. Torma, M. Ali, H. Lipsanen. J. Appl. Phys., 106, 123 523 (2009)
  17. Н.Н. Зиновьев, А.В. Андрианов, В.Ю. Некрасов, Л.В. Беляков, О.М. Сресели, Г. Хилл, Дж.М. Чемберлен. ФТП, 36, 234 (2002)
  18. F. Mireles, S.E. Ulloa. Appl. Phys. Lett., 74, 248 (1999)
  19. H. Wang, A.-B. Chen. J. Appl. Phys., 87, 7859 (2000)
  20. W.J. Moore, J.A. Fretas, Jr., G.C.B. Braga, R.J. Molnar, S.K. Lee, K.Y. Lee, I.J. Song. Appl. Phys. Lett., 79, 2570 (2001)
  21. А.В. Акимов, А.А. Каплянский, В.В. Криволапчук, Е.С. Москаленко. Письма ЖЭТФ, 46, 35 (1987)
  22. J.W. Orton, D.E. Lacklison, A.V. Andrianov, T.S. Cheng, D.J. Dewsnip, C.T. Foxon, L.C. Jenkins, S.E. Hopper. Sol. St. Electron., 41, 219 (1997)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.