"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Электропроводность слоев халькогенидного стеклообразного полупроводника Se95As5, содержащего примеси редкоземельных атомов EuF3, в сильных электрических полях
Исаев А.И.1, Мехтиева С.И.1, Гарибова С.Н.1, Зейналов В.З.1
1Институт физики им. Г.М. Абдуллаева НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан
Поступила в редакцию: 30 января 2012 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2012 г.

Исследованием вольт-амперных характеристик структуры Al--Se95As5<EuF3>-Te установлено, что токопрохождение в нем при приложении к Te положительного потенциала осуществляется по механизму токов монополярной инжекции, ограниченных пространственным зарядом, а при обратной полярности наблюдается вольт-амперная характеристика N-типа. Показано, что при напряженностях приложенного электрического поля, превышающих 105 В/см, в механизме токопрохождения в исследованных структурах преобладающую роль играют процессы термополевой ионизации нейтральных и отрицательно заряженных U--центров, а также процессы рекомбинации электронов и дырок, и захват носителей заряда на U--центры. Определены энергетическое положение и концентрация локальных состояний, соответствующих указанным центрам и характеризующих влияние электрического поля--длина активации. Установлено, что примеси EuF3 в основном влияют на концентрацию локальных состояний.
  1. А.В. Васильев, Г.Г. Девятых, Е.М. Дианов. Квант. электрон., 20 (2), 109 (1993)
  2. G.G. Devyatyth, M.F. Churbanov, I.V. Scripachev. J. Optoelectron., 7 (2), 237 (1992)
  3. V.S. Shiryaev, J.L. Adam, X.H. Zhang. J. Non.-Cryst. Sol., 336, 113 (2004)
  4. K. Wei, D.P. Machewirth, J. Wenzel. J. Non.-Cryst. Sol., 182, 257 (1995)
  5. A.R. Hilton. Proc. SPIE. Infr. Fiber Optics III. 1591, 34 (1992)
  6. К.Д. Цендин. Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках (СПб., Наука, 1996)
  7. D. Adler, M.S. Shur, M. Silver, S.R. Ovshinsky. J. Appl. Phys., 51, 3289 (1980)
  8. D. Ielmini. Phys. Rev. B, 78, 035 308 (2008)
  9. Э.Н. Воронков, С.А. Козюхин. ФТП, 43, 953 (2009)
  10. Н.А. Богословский, К.Д. Цендин. ФТП, 43, 1378 (2009)
  11. Э.А. Лебедев, С.А. Козюхин, Н.Н. Константинова, Л.П. Казакова. ФТП, 43, 1383 (2009)
  12. Н.Ф. Мотт, Э.А. Девис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1982)
  13. Л.П. Казакова, Э.А. Лебедев, А.И. Исаев, С.И. Мехтиева, Н.Б. Захарова, И.И. Ятлинко. ФТП, 27, 959 (1993)
  14. L.P. Kazakova, E.A. Lebedev, N.B. Zakharova, I.I. Yatlinko, A.I. Isayev, S.I. Mekhtiyeva. J. Non-Cryst. Sol., 167, 65 (1994)
  15. A.I. Isayev, S.I. Mekhtiyeva, N.A. Jalilov, R.I. Alekperov, V.Z. Zeynalov. J. Optoelectron. and Adv. Materials-RC, 1ISS, 8, 368 (2007)
  16. А.И. Исаев, С.И. Мехтиева, С.Н. Гарибова, Р.И. Алекперов, В.З. Зейналов. Transactions (Series of Physical-Mathematical and Technical Sciences, Physics and Astronomy) XXX (2), 121 (2010)
  17. P.W. Anderson. Phys. Rev. Lett., 34, 953 (1975)
  18. М. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1973)
  19. E. Voronkov, J. Non-Cryst. Sol., 353, 2591 (2007)
  20. В.Н. Абакумов, В. Карпус, В.И. Перель, И.Н. Яссиевич. ФТП, 22, 262 (1988)
  21. В.Н. Абакумов, В.И. Перель, И.Н. Яссиевич. Безызлучательная рекомбинация в полупроводниках (СПб., Изд-во ПИЯФ РАН, 1997)
  22. J.M. Marshall, G.R. Miller. Phil. Mag., 27, 1151 (1973)
  23. A.I. Popov. Semicond. Semimet., 78, 51 (2004)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.