"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Особенности механизмов проводимости полупроводника n-HfNiSn, сильно легированного акцепторной примесью Co
Ромака В.А.1,2, Rogl P.3, Стаднык Ю.В.4, Ромака В.В.2, Hlil E.K.5, Крайовский В.Я.2, Горынь А.М.4
1Институт прикладных проблем механики и математики им. Я. Пидстрыгача Национальной академии наук Украины, Львов, Украина
2Национальный университет "Львовская политехника", Львов, Украина
3Институт физической химии Венского университета, А- Вена, Австрия
4Львовский национальный университет им. Ивана Франко, Львов, Украина
5Институт Нееля Национального центра научных исследований, Гренобль, Франция
Поступила в редакцию: 30 января 2012 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2012 г.

Исследованы кристаллическая структура, распределение электронной плотности, энергетические и кинетические характеристики полупроводника HfNi1-xCoxSn, сильно легированного акцепторной примесью Co в диапазонах: T=80-1620 K и NCoA от 9.5·1020 см-3 (при x=0.05) до 7.6·1021 см-3 (при x=0.40). Показано, что характер изменения значений энергии активации прыжковой проводимости varepsilonrho3(x) и амплитуды модуляции зон непрерывных энергий varepsilonalpha1(x) обусловлен появлением источника доноров в полупроводнике дырочного типа проводимости HfNi1-xCoxSn. Установлено, что легирование n-HfNiSn акцепторной примесью Co сопровождается изменением степени компенсации полупроводника из-за одновременного генерирования как структурных дефектов акцепторной природы при замещении атомов Ni атомами Co, так и донорной природы, при частичном занятии атомами Sn позиций атомов Ni. Обсуждение результатов ведется в рамках модели Шкловского--Эфроса сильно легированного и компенсированного полупроводника.
  1. В.А. Ромака, D. Fruchart, E.K. Hlil, P.E. Гладышевский, D. Gignoux, В.В. Ромака, Б.С. Кужель, Р.В. Крайовский. ФТП, 44 (3), 310 (2010)
  2. В.А. Ромака, P. Rogl, В.В. Ромака, E.K. Hlil, Ю.В. Стаднык, С.М. Буджерак. ФТП, 45 (7), 879 (2011)
  3. R. Ferro, A. Saccone. Intermetallic Chemistry (Amsterdam, Elsevier, 2008)
  4. В.А. Ромака, Д. Фрушарт, Ю.В. Стаднык, Я. Тобола, Ю.К. Гореленко, М.Г. Шеляпина, Л.П. Ромака, В.Ф. Чекурин. ФТП, 40 (11), 1309 (2006)
  5. Ф.Г. Алиев, Н.Б. Брандт, В.В. Козырьков, В.В. Мощалков, Р.В. Сколоздра, Ю.В. Стаднык, В.К. Печарский. Письма ЖЭТФ, 45 (11), 535 (1987)
  6. C. Uher, J. Yang, S. Hu, D.T. Morelli, G.P. Meisner. Phys. Rev. B, 59 (13), 8615 (1999)
  7. В.А. Ромака, В.В. Ромака, Ю.В. Стаднык. Интерметаллические полупроводники: свойства и применения (Львов, Львовская политехника, 2011)
  8. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
  9. V.K. Pecharsky, P.Y. Zavalij. Fundamentals of Powder Diffraction and Structural Characterization of Materials (N. Y., Springer, 2005)
  10. L.G. Akselrud, Yu.N. Grin, P.Yu. Zavalii, V.K. Pecharsky, V.S. Fundamenskii. 12-=SUP=-th-=/SUP=- European Crystallographic Meeting. Collected Abstract (M., Nauka, 1989)
  11. M. Schroter, H. Ebert, H. Akai, P. Entel, E. Hoffmann, G.G. Reddy. Phys. Rev. B, 52, 188 (1995)
  12. K. Schwarz, P. Blaha, G.K.H. Madsen. Computer Phys. Commun., 147, 71 (2002)
  13. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. ЖЭТФ, 61, 816 (1971)
  14. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. ЖЭТФ, 62, 1156 (1972)
  15. В.А. Ромака, Ю.В. Стаднык, В.В. Ромака, Д. Фрушарт, Ю.К. Гореленко, В.Ф. Чекурин, А.М. Горынь. ФТП, 41 (9), 1059 (2007)
  16. P. Larson, S.D. Mahanti, M.G. Kanatzidis. Phys. Rev. B, 62 (19), 12 754 (2000)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.