"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние асимметричных барьерных слоев в волноводной области на температурные характеристики лазеров на квантовой яме
Жуков А.Е.1, Асрян Л.В.2, Шерняков Ю.М.3, Максимов М.В.3, Зубов Ф.И.1, Крыжановская Н.В.1, Yvind K.4, Семенова Е.С.4
1Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Virginia Polytechnic Institute and State University, Blacksburg, Virginia, USA
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4DTU Fotonik, Technical University of Denmark, Kgs. Lyngby, D, Denmark
Поступила в редакцию: 18 января 2012 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2012 г.

Исследована температурная чувствительность плотности порогового тока лазеров на квантовой яме и проанализированы факторы, определяющие характеристическую температуру и ее зависимость от оптических потерь. Показано, что введение асимметричных потенциальных барьеров (по одному с каждой стороны от квантовой ямы), препятствующих появлению биполярной заселенности носителей в волноводной области, приводит к ослаблению температурных зависимостей плотности тока прозрачности и параметра насыщения усиления и как следствие к повышению характеристической температуры в лазерных диодах как с длинным, так и коротким резонатором.
  1. Y. Arakawa, H. Sakaki. Appl. Phys. Lett., 40 (11), 939 (1982)
  2. H. Kurakake, T. Uchida, T. Yamamoto, T. Higashi, S. Ogita, M. Kobayashi. IEEE J. Select. Topics Quant. Electron., 3 (2), 632 (1997)
  3. L.V. Asryan, N.A. Gun'ko, A.S. Polkovnikov, G.G. Zegrya, R.A. Suris, P.-K. Lau, T. Makino. Semicond. Sci. Technol., 15, 1131 (2000)
  4. L.V. Asryan, S. Luryi. Sol. St. Electron., 47 (2), 205 (2003)
  5. А.Е. Жуков, Н.В. Крыжановская, М.В. Максимов, А.Ю. Егоров, М.М. Павлов, Ф.И. Зубов, Л.В. Асрян. ФТП, 45 (4), 540 (2011)
  6. M.P.C.M. Krijn. Semicond. Sci. Technol., 6 (1), 27 (1991)
  7. P.W.A. McIlroy, A. Kurobe, Y. Uematsu. IEEE J. Quant. Electron., 21 (12), 1958 (1985)
  8. L.V. Asryan, N.V. Kryzhanovskaya, M.V. Maximov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov. Semicond. Sci. Technol., 26 (5), 055 025 (2011)
  9. M. Dion, Z.-M. Li, D. Ross, F. Chatenoud, R.L. Williams, S. DIck. IEEE J. Select. Topics Quant. Electron., 1 (2), 230 (1995)
  10. Л.В. Асрян, Р.А. Сурис. ФТП, 38 (1), 3 (2004)
  11. T. Higashi, T. Yamamoto, S. Ogita, M. Kobayashi. IEEE J. Select. Topics Quant. Electron., 3 (2), 513 (1997)
  12. B. Witzigmann, M.S. Hybertsen. IEEE J. Select. Topics Quant. Electron., 9 (3), 807 (2003)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.