"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние хвостов локализованных состояний в InGaN на уменьшение эффективности GaN-светодиодов с ростом плотности тока
Бочкарева Н.И.1, Вороненков В.В.2, Горбунов Р.И.1, Зубрилов А.С.1, Латышев Ф.Е.3, Леликов Ю.С.1, Ребане Ю.Т.1, Цюк А.И.1, Шретер Ю.Г.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
3НИИ физики им. В.А. Фока физического факультета СПбГУ, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 25 января 2012 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2012 г.

Изучается механизм уменьшения внутренней квантовой эффективности InGaN/GaN структур с множественными квантовыми ямами при плотностях тока до 40 А/см2 в мощных светодиодах. Показано, что существует корреляция между уменьшением эффективности и уширением высокоэнергетичного края спектра излучения с ростом плотности тока. Показано также, что эффективность является спектрально зависимой величиной и эффективность эмиссии фотнов с более высокой энергией начинает уменьшаться при большей плотности тока. Рассмотрено влияние туннельного и активационного механизмов термализации носителей, захваченных в мелкие состояния хвостов в запрещенной зоне InGaN, на эффективность и форму спектра излучения. Анализ результатов позволяет сделать вывод, что причиной падения эффективности при высокой плотности тока является относительное возрастание вклада безызлучательной рекомбинации через состояния дефектов в результате роста заселенности глубоких состояний хвостов зон в InGaN. Показано, что близкий к теоретическому пределу коэффициент полезного действия может быть реализован при низковольтной туннельной инжекции в локализованные состояния хвостов зон в активной области InGaN.
  1. T. Mukai, M. Yamada, S. Nakamura. Jpn. J. App. Phys., pt 1, 38, 3976 (1999)
  2. P.G. Eliseev, M. Osinski, H. Li, I.V. Akimova. Appl. Phys. Lett., 75, 3838 (1999)
  3. B. Monemar, B.E. Sernelius. Appl. Phys. Lett., 91, 181 103 (2007)
  4. A. Hori, D. Yasunaga, A. Satake, K. Fujiwara. Appl. Phys. Lett., 79, 3723 (2001)
  5. I.A. Pope, P.M. Smowton, P. Blood, J.D. Thomson, M.J. Kappers, C.J. Humphreys. Appl. Phys. Lett., 82, 2755 (2003)
  6. M.H. Kim, M.F. Schubert, Q. Dai, J.K. Kim, E.F. Schubert, J. Piprek, Y. Park. Appl. Phys. Lett., 91, 183 507 (2007)
  7. Y.C. Shen, G.O. Mueller, S. Watanabe, N.F. Gardner, A. Munkholm, M.R. Krames. Appl. Phys. Lett., 91, 141 101 (2007)
  8. S. Chichibu, T. Azuhata, T. Sota, S. Nakamura. App. Phys. Lett., 69, 4188 (1996)
  9. P. Perlin, V. Iota, B.A. Weinstein, P. Wisniewski, T. Suski, P.G. Eliseev, M. Osinski. Appl. Phys. Lett., 70, 2993 (1997)
  10. Y. Narukava, Y. Kavakami, S. Fujita, S. Nakamura. Phys. Rev. B, 59, 10 283 (1999)
  11. Н.И. Бочкарева, Д.В. Тархин, Ю.Т. Ребане, Р.И. Горбунов, Ю.С. Леликов, И.А. Мартынов, Ю.Г. Шретер. ФТП, 41, 88 (2007)
  12. N.I. Bochkareva, V.V. Voronenkov, R.I. Gorbunov, A.S. Zubrilov, Y.S. Lelikov, P.E. Latyshev, Y.T. Rebane, A.I. Tsyuk, Y.G. Shreter. Appl. Phys. Lett., 96, 133 502 (2010)
  13. Y.H. Cho, T.J. Schmidt, S. Bidnyk, G.H. Gainer, J.J. Song, S. Keller, U.K. Mishra, S.P. DenBaars. Phys. Rev. B, 61, 7571 (2000)
  14. R.F. Street. Phys. Rev. B, 23, 861 (1981)
  15. W. Fuhs. J. Optoelectron. Adv. Mater., 7, 1889 (2005)
  16. S.T. Lai, M.V. Klein. Phys. Rev. B, 29, 3217 (1984)
  17. M. Oueslati, M. Zouaghi, M.E. Pistol, L. Samuelson, H.G. Grimmeiss, M. Balkanski. Phys. Rev. B, 32, 8220 (1985)
  18. R.W. Martin, P.G. Middleton, E.P. O'Donnel, W. Van der Stricht. Appl. Phys. Lett., 74, 263 (1999)
  19. H.C. Casey, Jr., J. Muth, S. Krishnankutty, J.M. Zavada. Appl. Phys. Lett., 68, 2867 (1996)
  20. В.Е. Кудряшов, А.Н. Туркин, А.Е. Юнович, А.Н. Ковалев, Ф.И. Маняхин. ФТП, 33, 445 (1999)
  21. P. Perlin, M. Osinski, P.G. Eliseev, V.A. Smagley, J. Mu, M. Banas, P. Sartori. Appl. Phys. Lett., 69, 1680 (1996)
  22. P.G. Eliseev, P. Perlin, J. Lee, M. Osinski. Appl. Phys. Lett., 71, 569 (1997)
  23. S.F. Chichibu, H. Marchand, M.S. Minsky, S. Keller, P.T. Fini, J.P. Ibbetson, S.B. Fleischer, J.S. Speck, J.E. Bowers, E. Hu, U.K. Mishra, S.P. DenBaars, T. Deguchi, T. Sota, S. Nakamura. Appl. Phys. Lett., 74, 1460 (1999)
  24. Y. Narukava, Y. Kawakami, S. Fujita, S. Fujita, S. Nakamura. Phys. Rev. B, 55, R1938 (1997)
  25. C. Gourdon, P. Lavallard. Phys. Status Solidi B, 153, 641 (1989)
  26. Don Monroe. Phys. Rev. Lett., 54, 146 (1985)
  27. Y. Narukawa, M. Ichikawa, D. Sanga, M. Sano, T. Mukai. J. Phys. D: Appl. Phys., 43, 354 002 (2010).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.