"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Температурная зависимость контактного сопротивления омических контактов Au-Ti-Pd2Si-n+-Si, подвергнутых микроволновому облучению
Беляев А.Е.1, Болтовец Н.С.2, Конакова Р.В.1, Кудрик Я.Я.1, Саченко А.В.1, Шеремет В.Н.1, Виноградов А.О.1
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2Государственное предприятие НИИ "Орион", Киев, Украина
Поступила в редакцию: 22 августа 2011 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2012 г.

На основе теоретического анализа температурной зависимости контактного сопротивления Rc омического контакта Au-Ti-Pd2Si-n+-Si предложен механизм токопереноса, объясняющий растущие с повышением температуры измерения в диапазоне 100-380 K величины Rc, наблюдаемые экспериментально. Показано, что микроволновая обработка таких контактов приводит к уменьшению разброса Rc по пластине и уменьшению величины Rc при сохранении роста Rc в диапазоне температур 100-380 K.
  1. S.M. Sze, K.Ng. Kwok. Physics of Semiconductor devices (A. John Wiley \& Sons. Inc. Publication, 2007)
  2. Contacts to Semiconductors. Fundamentals and Technology, ed. by L. Brillson (Park Rige, N. J., USA, 1993)
  3. Г.П. Пека, В.И. Стриха. Поверхностные и контактные явления в полупроводниках (Киев, Лыбедь, 1992)
  4. A.E. Belyaev, N.S. Boltovets, R.V. Konakova, Ya.Ya. Kudryk, A.V. Sachenko, V.N. Sheremet. Semicond. Phys. Quant. Electron. Optoelecrton., 13 (4), 436 (2010)
  5. A.E. Belyaev, E.F. Venger, I.B. Ermolovich, R.V. Konakova, P.M. Lytvyn, V.V. Milenin, I.V. Prokopenko, G.S. Svechnikov, E.A. Soloviov, L.L. Fedorenko. Effect of microwave and laser radiations on the parameters of semiconductor structures (Kiev, Intas, 2002)
  6. D.K. Ferry. Phys. Rev. B, 14 (4), 1605 (1976)
  7. В.И. Фистуль. Сильно легированные полупроводники (М., Наука, 1967)
  8. А.Е. Гершинский, А.В. Ржанов, Е.И. Черепов. Микроэлектроника, 11 (2), 83 (1982)
  9. P.E. Schmid, P.S. Ho, H. Foll, G.W. Rubloff. J. Vac. Sci. Technol., 18 (3), 937 (1981)
  10. V.M. Ievlev, S.B. Kushev, A.V. Bugakov, S.A. Soldatenko, B.N. Markushev, I.G. Rudneva. Proc. ISFTE-12 (Kharkov, 2002) p. 201
  11. Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг, О.В. Константинов, В.Г. Никитин, Е.А. Поссе. Письма ЖТФ, 30 (19), 17 (2004)
  12. Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг. ФТП, 41 (11), 1281 (2007)
  13. В.Н. Бессолов, Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг, О.В. Константинов, Е.А. Поссе. ФТП, 42 (11), 1345 (2008)
  14. Ш. Мьюрарка. Силициды для СБИС (М., Мир, 1986) [Пер. с англ.: S.P. Murarka. Silicides for VLSI Applications (Academic Press, N. Y.-London, 1983)]
  15. В.И. Пашков, В.А. Перевощиков, В.Д. Скупов. Письма ЖТФ, 20 (8), 14 (1994)
  16. E.D. Atanasova, A.E. Belyaev, R.V. Konakova, P.M. Lytvyn, V.V. Milenin, V.F. Mitin, V.V. Shynkarenko. Effect of active actions on the properties of semiconductor materials and structures (Kharkiv, NTS Institute for Single Crystals, 2007)
  17. Н.С. Болтовец, А.Б. Камалов, Е.Ю. Колядина, Р.В. Конакова, П.М. Литвин, О.С. Литвин, Л.А. Матвеева, В.В. Миленин, А.Е. Ренгевич. Письма ЖТФ, 28 (4), 57 (2002)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.