Вышедшие номера
Влияние легирования фторидом эрбия на фотолюминесценцию пленок SiOx
Власенко Н.А.1, Сопинский Н.В.1, Гуле Е.Г.1, Стрельчук В.В.1, Олексенко П.Ф.1, Велигура Л.И.1, Николенко А.С.1, Мухльо М.А.1
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 4 августа 2011 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2012 г.

Исследована фотолюминесценция пленок SiOx, нанесенных на пластины c-Si термическим испарением SiO в вакууме и легированных впервые ErF3 путем соиспарения. Показано, что неотожженные пленки SiOx: ErF3, как и нелегированные пленки, пассивируют поверхность пластин Si, увеличивая в ~5 раз интенсивность их краевой фотолюминесценции. Такое же увеличение имеет место и после отжига легированных пленок на воздухе при 750oC. Легирование ErF3 приводит к ослаблению фотолюминесценции нанокластеров Si, если проводился высокотемпературный (750oC) отжиг пленок. При этом уменьшается также интенсивность полосы фотолюминесценции с максимумом при ~890 нм. Эта полоса выявлена впервые и интерпретирована в силу ее особенностей как результат переходов в дефектах матрицы SiOx. Дается объяснение выше приведенного влияния легирования ErF3 на фотолюминесценцию пленок SiOx. Интенсивная фотолюминесценция ионов Er3+ в ближней инфракрасной области спектра (переходы 4I11/2->4I15/2 и 4I13/2->4I15/2) наблюдается в пленках SiOx: ErF3, отожженных на воздухе при 750oC. Это показывает, что пользующиеся большим спросом люминесцентные излучатели с длиной волны 1.54 мкм можно получать простым и дешевым способом.