Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2012, выпуск 3 » Статья стр. 338
<<<>>>
Влияние легирования фторидом эрбия на фотолюминесценцию пленок SiOx
Власенко Н.А.1, Сопинский Н.В.1, Гуле Е.Г.1, Стрельчук В.В.1, Олексенко П.Ф.1, Велигура Л.И.1, Николенко А.С.1, Мухльо М.А.1
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 4 августа 2011 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2012 г.
PDF версия
Исследована фотолюминесценция пленок SiOx, нанесенных на пластины c-Si термическим испарением SiO в вакууме и легированных впервые ErF3 путем соиспарения. Показано, что неотожженные пленки SiOx: ErF3, как и нелегированные пленки, пассивируют поверхность пластин Si, увеличивая в ~5 раз интенсивность их краевой фотолюминесценции. Такое же увеличение имеет место и после отжига легированных пленок на воздухе при 750oC. Легирование ErF3 приводит к ослаблению фотолюминесценции нанокластеров Si, если проводился высокотемпературный (750oC) отжиг пленок. При этом уменьшается также интенсивность полосы фотолюминесценции с максимумом при ~890 нм. Эта полоса выявлена впервые и интерпретирована в силу ее особенностей как результат переходов в дефектах матрицы SiOx. Дается объяснение выше приведенного влияния легирования ErF3 на фотолюминесценцию пленок SiOx. Интенсивная фотолюминесценция ионов Er3+ в ближней инфракрасной области спектра (переходы 4I11/2->4I15/2 и 4I13/2->4I15/2) наблюдается в пленках SiOx: ErF3, отожженных на воздухе при 750oC. Это показывает, что пользующиеся большим спросом люминесцентные излучатели с длиной волны 1.54 мкм можно получать простым и дешевым способом.
  1. A. Polman. J. Appl. Phys., 82 (1), 1 (1997)
  2. M. Fujii, M. Yoshida, Y. Kanzawa, S. Hayashi, K. Yamamoto. Appl. Phys. Lett., 71 (9), 1198 (1997)
  3. D. Kovalev, J. Diener, H. Heckler, G. Polisski, N. Kunzner, F. Koch. Phys. Rev. B, 61 (7), 4485 (2000)
  4. M. Wojdak, M. Kik, M. Forcales, O.B. Gusev, T. Gregorkiewicz, D. Pacifici, G. Franzo, F. Priolo, F. Iacona. Phys. Rev. B, 69 (23), 233 315 (2004)
  5. G. Wora-Adeola, H. Rinnert, P. Miska, M. Vergnat. J. Appl. Phys., 102 (5), 053 515 (2007)
  6. G. Franzo, S. Boninelli, D. Pacifici, F. Priolo, F. Iacona, C. Bongiorno. Appl. Phys. Lett., 82 (22), 3871 (2003)
  7. O. Savchyn, F.R. Ruhge, P.G. Kik. Phys. Rev. B, 76 (19), 195 419 (2007)
  8. G. Wora-Adeola, O. Jambois, P. Miska, H. Rinnert, M. Vergnat. Appl. Phys. Lett., 89 (10), 101 920 (2006)
  9. O. Jambois, H. Rinnert, X. Devanux, M. Vergnat. J. Appl. Phys., 98 (4), 046 105 (2005)
  10. A. Nazarov, J.M. Sun, W. Skorupa, R.A. Yankov, I.N. Osiyuk, I.P. Tjagulskii, V.S. Lysenko, T. Gebel. Appl. Phys. Lett., 86 (15), 151 914 (2005)
  11. Y.A. Ono. Electroluminescent Displays (Singapore, World Scientific, 1995)
  12. N.A. Vlasenko, L.I. Veligura, Z.L. Denisova, M.A. Mukhlyo, Yu.A. Tsyrkunov, V.F. Zinchenko. J. SID 14 (7), 615 (2006)
  13. G.L. Olson, J.A. Roth. Mater. Sci. Reports, 3 (1), 1 (1988)
  14. L. Tsetseris, X.J. Zhou, D.M. Fleetwood, R.D. Schrimpf, S.T. Pantelides. Appl. Phys. Lett., 85 (21), 4950 (2004)
  15. X.W. Wang, T.P. Ma. Appl. Phys. Lett., 60 (21), 2634 (1992)
  16. S.T. Kshirsagar, S.V. Rajarshi, R.O. Dusane, J. Vaidya, V.G. Bhide. Appl. Phys. Lett., 51 (24), 2019 (1987)
  17. A. Misra, H.D. Bist, M.S. Navati, R.K. Thareja, J. Narayan. Mater. Sci. Eng. B, 79 (1), 49 (2001)
  18. K. Anestou, D. Papadimitriou, C. Tsamis, A.G. Nassiopoulou. J. Phys.: Conf. Ser., 10 (1), 309 (2005)
  19. R. Hull. Properties of Crystalline Silicon (INSPEC, London, 1999)
  20. A.A. Sirenko, J.R. Fox, L.A. Akimov, X.X. Xi, S. Ruvimov, Z. Liliental-Weber. Sol. St. Commun., 113 (10), 553 (2000)
  21. Н.А. Власенко, Н.В. Сопинский, Е.Г. Гуле, Л.И. Велигура, В.Я. Братусь, Р.С. Мельник, З.Л. Денисова, М.А. Мухльо. Оптоэлектрон. и полупроводн. техн., 43, 98 (2010)
  22. В.В. Болотов, В.Е. Кан. ФТП, 43 (1), 31 (2009)
  23. Н.А. Власенко, П.Ф. Олексенко, З.Л. Денисова, Н.В. Сопинский, Л.И. Велигура, Е.Г. Гуле, О.С. Литвин, М.А. Мухльо. ФТП, 45 (5), 596 (2011)
  24. U. Kahler, H. Hofmeister. Appl. Phys. A, 74 (1), 13 (2002)
  25. В.Г. Голубев, А.В. Медведев, А.Б. Певцов, А.В. Селькин, Н.А. Феоктистов. ФТТ, 41 (1), 153 (1999)
  26. В.Я. Братусь, В.А. Юхимчук, Л.И. Бережинский, М.Я. Валах, И.П. Ворона, И.З. Индутный. ФТП, 35 (7), 854 (2001)
  27. Н.А. Власенко, Н.В. Сопинский, Е.Г. Гуле, Э.Г. Манойлов, П.Ф. Олексенко, Л.И. Велигура, М.А. Мухльо. ФТП, 45 (11), 1470 (2011)
  28. A. Yanotta, M. Schmidt, R. Janssen, Ch. Buchal, M. Stutzmann. J. Non-Cryst. Sol., 299--302, 688 (2002)
  29. N.A. Vlasenko, Z.L. Denisova, V.S. Khomchenko. Phys. Status Solidi A, 81, 657 (1984)
  30. A. Barranco, F. Yubero, J.P. Espinos, P. Groening, A.R. Gonzales-Elipe. J. Appl. Phys., 97 (11), 113 714 (2005)
  31. R. Tohmon, Y. Shimogaichi, H. Mizuno, Y. Ohki, K. Nagasawa, Y. Hama. Phys. Rev. Lett., 62 (12), 1388 (1989)
  32. В.А. Гриценко, Ю.Н. Новиков, А.В. Шапошников, Ю.Н. Мороков. ФТП, 35 (9), 1041 (2001)
  33. L. Rebohle, J. von Borany, H. Frob, T. Gebel, M. Helm, W. Skorupa. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B, 188 (1), 28 (2002)
  34. M.M.G. Alemany, J.R. Chelikowsky. Phys. Rev. B, 73 (23), 235 211 (2006).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme