Влияние структурных дефектов технологического происхождения на оптические и фотоэлектрические свойства твердого раствора AgCd2-xMnxGaSe4
Третяк А.П.1, Давидюк Г.Е.1, Божко В.В.1, Булатецкая Л.В.1, Парасюк О.В.1
1Волынский национальный университет им. Леси Украинки, Луцк, Украина
Поступила в редакцию: 4 августа 2011 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2012 г.
Исследованы фотоэлектрические и оптические свойства твердого раствора AgCd2-xMnxGaSe4 с изовалентным замещением Mn->Cd. Определено положение максимумов фотопроводимости, фотолюминесценции и оценена ширина запрещенной зоны твердого раствора в зависимости от его компонентного состава. Проанализировано влияние технологических дефектов на особенности фотоэлектрических и оптических свойств твердого раствора. Установлено, что за центры, определяющие фоточувствительность кристаллов раствора, ответственны катионные вакансии. Центрами фотолюминесценции в интервале длин волн ~0.77-0.88 мкм (в зависимости от соотношения компонент в растворе) являются комплексы дефектов, состоящие из катионной и анионной вакансий. Предложена физически не противоречивая модель наблюдаемых явлений в растворе.
- V.V. Bozhko, G.E. Davyduyk, L.V. Bulatetska, O.V. Parasyuk. Ukr. J. Phys., 53 (3), 256 (2008)
- Л.В. Булатецкая, В.В. Божко, Г.Е. Давидюк, О.В. Парасюк. ФТП, 42 (5), 522 (2008)
- В.В. Божко, Г.Е. Давидюк, Л.В. Булатецкая, О.В. Парасюк. Вестн. Волын. гос. ун-та. Физ. науки, N 16, 31 (2007)
- G.Ye. Davydyuk, I.D. Olekseyuk, O.V. Parasyuk, S.V. Voronyuk, O.A. Husak, V.I. Pekhnyo. Ukr. J Phys., 50 (7), 679 (2005)
- С.В. Воронюк, А.А. Гусак, Г.Е. Давидюк, И.Д. Олексеюк, О.В. Парасюк. Вестн. Волын. гос. ун-та. Физ. науки, N 9, 13 (2003)
- G.Ye. Davydyuk, I.D. Olekseyuk, O.V. Parasyuk, S.V. Voronyuk, O.A. Dzham, V.I. Pekhnyo. Ukr. J Phys., 51 (4), 380 (2006)
- Г.Е. Давидюк, В.П. Сачанюк, С.В. Воронюк, И.Д. Олексеюк, О.В. Парасюк. Вестн. Волын. гос. ун-та. Физ. науки, N 4, 205 (2006)
- G.Ye. Davydyuk, V.P. Sachanuyk, S.V. Voronyuk, I.D. Olekseyuk, Y.E. Romanyuk, O.V. Parasyuk. Physica B: Condens. Matter. 373 (2), 355 (2006)
- V.V. Bozhko, L.V. Bulatetska, G.Ye. Davydyuk, O.V. Parasyuk, B.P. Sachanyuk, A.P. Tretyak. Ukr. J. Phys., 55 (2), 207 (2010)
- Г.Е. Давидюк, А.П. Третяк, В.В. Божко, В.В. Булатецкий, О.В. Парасюк. Вестн. Волын. гос. ун-та. Физ. науки, N 6, 28 (2010)
- Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1974). [Пер. с англ. под ред. Б.Т. Коломийца.]
- В.Л. Бонч-Бруевич, И.П. Звягин, Р. Кайпер и др. Электронная теория неупорядоченных полупроводников (М., Наука, 1981)
- В.Е. Лашкарев, А.В. Любченко, М.К. Шейнкман. Неравновесные процессы в фотопроводниках (Киев, Наук. думка, 1981)
- Физика и химия соединений AIIBIV, под ред. С.А. Медведева (М., Мир, 1970)
- Г.Е. Давидюк, Н.С. Богданюк, А.П. Галушка. ФТП, 17 (3), 506 (1983)
- Г.Е. Давидюк, Л.В. Булатецкая, В.В. Божко и др. Физические свойства тетрарных халькогенидов (Луцк, Вежа, 2009)
- Н.А. Горюнова. Сложные алмазоподобные полупроводники (М., Сов. Радио, 1968)
- А.М. Гурвич. Введение в физическую химию кристаллофосфоров (М., Высш. шк., 1982) с. 239
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук