"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Исследование методом электроотражения влияния gamma-облучения на оптические свойства эпитаксиальных пленок GaN
Беляев А.Е.1, Клюй Н.И.1, Конакова Р.В.1, Лукьянов А.Н.1, Данильченко Б.А.2, Свешников Ю.Н.3, Клюй А.Н.4
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
3ЗАО "Элма-Малахит", Зеленоград, Россия
4Киевский национальный университет им. Т. Шевченко, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 27 июля 2011 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2012 г.

Представлены результаты измерений спектров электроотражения образцов эпитаксиальных пленок GaN на сапфире, подверженных действию gamma-облучения дозами 105-2·106 рад. Рассчитанные на основе модели 3 переходов теоретические спектры электроотражения с достаточной точностью совпадают с экспериментальными данными. Полученные в рамках модели величины энергий и уширений переходов дают основание полагать, что в пленках GaN существуют внутренние механические напряжения, значения которых меняются в зависимости от дозы gamma-излучения.
  1. E. Gaubas, P. Pobedinskas, J. Vaitkus, A. Uleckas, A. Zukauskas, A. Blue, Ruhman, K.M. Smith, E. Aujol, B. Beaumont, J.-P. Faurie, P. Gibart. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. A, 552, P. 82 (2005)
  2. V.V. Emtseva, V.Yu. Davydova, V.V. Kozlovskii, G.A. Oganesyana, D.S. Poloskina, A.N. Smirnova, E.A. Troppa, Yu.G. Morozov. Physica B, 401--402, 315 (2007)
  3. V.V. Emtsev, V.Yu. Davydov, V.V. Kozlovskii, V.V. Lundin, D.S. Poloskin, A.N. Smirnov, N.M. Shmidt, A.S. Usikov, J. Aderhold, H. Klausing, D. Mistele, T. Rotter. J. Stemmer, O. Semchinova, J. Graul. Semicond. Sci. Technol., 15, 73 (2000)
  4. A. Castaldini, A. Cavallini, L. Potenta. J. Phys.: Condens. Matter., 12, 10 161 (2000)
  5. M. Julier, J. Campo, B. Gil, J. Lascaray, S. Nakamura. Phys. Rev. B, 57 (12), R6791 (1998)
  6. В.Г. Бойко, С.С. Веревкин, Н.Г. Колин, А.В. Корулин, Д.И. Меркурисов, А.Я. Поляков, В.А. Чевычелов. ФТП, 45 (1), 136 (2011)
  7. Kwiseon Kim, Walter R.L. Lambrecht, Benjamin Segall, Mark van Schlilfgaarde. Phys. Rev. B, 56 (12), 7363 (1997)
  8. V.P. Makhniy, M.M. Slyotov, V.V. Gorley, P.P. Horley, Yu.V. Vorobiev, J. Gonzalez-Hernandez. Appl. Surf. Sci., 253, 246 (2006)
  9. K.P. Korona, A. Wysmo ek, K. Paku a, R. Stepniewski, J.M. Baranowski, I. Grzegory, B. ucznik, M. Wro'blewski, S. Porowski. Appl. Phys. Lett., 69 (6). 788 (1996)
  10. В.А. Тягай, О.В. Снитко. Электроотражение света в полупроводниках (Киев, Наук. думка, 1980)
  11. R. Kudrawiec. M. Syperek, J. Misiewicz, R. Paszkiewicz, B. Paszkiewicz, M. T acza a. Superlat. Microstr., 36, 643 (2004)
  12. S.F. Chichibua, K. Torri, T. Deguchi, T. Sota, A. Setoguchi, H. Nakanishi, T. Azuhata, S. Nakamur. Appl. Phys. Lett., 76 (12), 1576 (2000)
  13. C.F. Li, Y.S. Huang, L. Malikova, F.H. Pollak. Phys. Rev. B, 55 (15), 9251 (1997)
  14. S. Shokhovets, R. Goldhahn, G. Gobsch. Mater. Sci. Eng. B, 93, 215 (2002)
  15. A.V. Kurakin, S.A. Vitusevich, S.V. Danylyuk, H. Hardtdegen, N. Klein, Z. Bougriouva, B.A. Danilchenko, R.V. Konakova, A.E. Belyaev. J. Appl. Phys., 103, 083 707 (2008)
  16. Y.S. Huang, Fred H. Pollak, S.S. Park, K.Y. Lee, H. Morkoc. J. Appl. Phys., 94 (2). 899 (2003)
  17. C.F. Li, Y.S. Huang, L. Malikova, F.H. Pollak. Phys. Rev. B, 55 (15), 9251 (1997)
  18. B. Gil, O. Briot, R.-L. Aulombard. Phys. Rev. B, 52 (24), R17028 (1995)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.